[发明专利]一种低衰减少模光纤

权利要求书

1.一种低衰减少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层为两层，芯层外由内向外有三层包层；所述的芯层剖面结构中，第一芯层的相对折射率差Δ1为0.30％～0.42％，半径R1为5.4μm～8μm，第二芯层的相对折射率差Δ2为0.20％～0.25％，半径R2为10μm～13μm，所述的包层剖面结构中，第一包层为紧密围绕芯层的内包层，其相对折射率差Δ4为-0.02％～0.02％，半径R4为13.6μm～17μm，第二包层为下陷包层，紧密围绕内包层，其相对折射率差Δ5为-0.8％～-0.4％，半径R5为17.5μm～30μm，第三包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层；所述的相对折射率差定义为：

Δ%=[(ni2-n02)/2ni2]×100%≈ni-n0n0×100%]]>

n_i和n₀分别为各对应光纤各部分的折射率和纯二氧化硅玻璃的折射率。

2.按权利要求1所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述的芯层呈阶梯型，且相对折射率差由内向外递减。

3.按权利要求1或2所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述的每个芯层均由掺氟和锗的石英玻璃，或掺有氟的石英玻璃组成，芯层氟的贡献量ΔF为-0.06％±0.02％；氟的贡献量ΔF为掺氟石英玻璃相对于纯石英玻璃的相对折射率差值。

4.按权利要求3所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述的内包层由掺氟和锗的石英玻璃，或纯石英玻璃组成；所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成。

5.按权利要求1或2所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处支持四个稳定的传输模式，分别是LP01、LP11、LP21和LP02。

6.按权利要求5所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述的LP01模式在1550nm波长处光纤的有效面积大于或等于140μm²；在1550nm波长处的色散值小于或等于22ps/km/nm。

7.按权利要求5所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的DGD的绝对值的最大值小于或等于4ps/m。

8.按权利要求5所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述光纤的四个模式在1550nm波长处的衰减系数均小于或等于0.21dB/km。

9.按权利要求5所述的低衰减少模光纤，其特征在于所述光纤中LP02和LP21模式的截止波长大于1600nm，LP12模式的截止波长小于1500nm。