[发明专利]用于分离芯片的设备和方法在审
申请号: | 201510144621.1 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104979242A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 高允成 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 韩国仁川广域市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分离 芯片 设备 方法 | ||
1.一种用于分离粘附到薄胶带的半导体芯片的芯片分离设备,所述芯片分离设备包括:
推出盖,其包括支撑主体,所述支撑主体支撑将与所述半导体芯片分离的沿着所述半导体芯片的外周的所述胶带的底部表面;吸附孔,所述吸附孔在所述支撑主体的顶部表面中形成以便吸附接触所述支撑主体的所述胶带的所述底部表面的一部分;以及推孔,所述推孔经形成以竖直地穿过所述支撑主体的所述顶部表面的中心部分;
提升部件,其包括提升主体,所述提升主体通过插入到所述推出盖的所述推孔中竖直可提升地安装,以便通过所述推孔向上推动由通过所述推出盖的所述吸附孔传递的真空所吸附的所述胶带;以及膜孔,所述膜孔经形成以竖直地穿过所述提升主体的顶部表面的中心部分;
弹性膜,所述弹性膜安装在所述提升部件的所述膜孔中,其中所述弹性膜通过经由所述提升部件的所述膜孔传送的压力弹性地变形成上凸形状,以便将所述胶带与所述半导体芯片一起向上推动;以及
拾取头,所述拾取头安置在所述推出盖上方并且吸附以及提升将由所述弹性膜向上推动的所述半导体芯片以便由此分离所述半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片分离设备,其中多个吸附孔在所述推出盖中形成并且沿着所述推孔的外周布置。
3.根据权利要求2所述的芯片分离设备,其中所述提升部件的外周小于所述半导体芯片的外周。
4.根据权利要求3所述的芯片分离设备,其中所述胶带通过所述推出盖的所述多个吸附孔沿着所述半导体芯片的所述外周被吸附。
5.根据权利要求1所述的芯片分离设备,其中在所述推出盖吸附所述胶带以及所述拾取头吸附所述半导体芯片之后,所述提升部件经提升以便提升安置在所述提升部件上方的所述胶带以及所述半导体芯片。
6.根据权利要求5所述的芯片分离设备,其中在通过所述提升部件提升所述胶带以及所述半导体芯片之后,增加所述膜孔中的压力以使所述弹性膜弹性地变形,使得通过所述弹性膜向上推动所述胶带以及所述半导体芯片。
7.根据权利要求5所述的芯片分离设备,其中当通过所述提升部件以及所述弹性膜向上推动所述半导体芯片时,所述拾取头提升吸附在所述拾取头上的所述半导体芯片,以便由此使所述半导体芯片与所述胶带分离。
8.一种用于分离粘附到薄胶带的半导体芯片的芯片分离方法,所述芯片分离方法包括:
(a)通过在推出盖的顶部表面中形成的多个吸附孔来吸附安置在所述推出盖上的所述胶带的底部表面的一部分,所述胶带的所述底部表面的所述部分沿着将与所述胶带分离的所述半导体芯片的外周;
(b)提升插入到在所述推出盖的中心部分中形成的推孔中的提升部件以向上推动接触所述提升部件的所述胶带的一部分;
(c)对安装于在所述提升部件的中心部分中形成的膜孔中的弹性膜施加压力以使所述弹性膜弹性地变形成上凸形状,以便使围绕所述半导体芯片的所述胶带的一部分与所述半导体芯片分离;
(d)通过使安置在所述推出盖上方的拾取头下降来吸附所述半导体芯片的顶部表面;以及
(e)通过提升已经在(d)中吸附所述半导体芯片的所述拾取头来使所述半导体芯片与所述胶带分离。
9.根据权利要求8所述的芯片分离方法,其中(d)在执行(a)之后执行,以及
当执行(b)以及(c)时,在(e)中,使用所述拾取头与所述推出盖以及所述弹性膜的操作同步来提升所述半导体芯片。
10.根据权利要求8所述的芯片分离方法,其中(d)在执行(a)以及(b)之后执行,以及
在执行(c)时,在(e)中,使用所述拾取头与所述弹性膜的操作同步来提升所述半导体芯片。
11.根据权利要求8所述的芯片分离方法,其中(d)以及(e)在执行(a)、(b)以及(c)之后执行。
12.根据权利要求8至11中的一项所述的芯片分离方法,其中在(b)中,通过使用所述提升部件向上推动所述半导体芯片,所述提升部件的外周小于所述半导体芯片的外周。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造