[发明专利]原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法在审
申请号: | 201510144772.7 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN104711462A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 李庆林;兰晔峰;丁万武;王平波;申永前 | 申请(专利权)人: | 兰州理工大学 |
主分类号: | C22C21/04 | 分类号: | C22C21/04;C22C1/02 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 董斌 |
地址: | 730050 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 自生 共晶铝硅 合金 变质 制备 方法 | ||
1.原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法,其特征在于原位自生的微米级Al2O3颗粒变质所涉及的过共晶铝硅合金中硅的质量百分含量为18%~22%,其制备方法的步骤为:
(1)将含结晶水的硫酸铝铵无机盐装入粘土石墨坩埚中,放置于炉膛温度为200℃~240℃的电阻炉中,待硫酸铝铵完全熔化后搅拌5~30分钟,然后在该温度下保温,使硫酸铝铵完全脱水;
(2)将过共晶铝硅合金熔化,并过热到900℃~950℃后将预热的硫酸铝铵用铝箔包裹,采用钟罩压入到合金熔体中,并不断搅拌使其完全反应;
(3)对步骤(2)的熔体进行降温,当熔体的温度降到700℃~750℃时,采用CCl6精炼、除气和扒渣后浇注成形。
2.根据权利要求1所述的原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,硫酸铝铵的脱水温度为200℃~240℃,保温时间是1~3小时。
3.根据权利要求1所述的原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,加入过共晶铝硅合金熔体中的硫酸铝铵的预热温度为160℃。
4.根据权利要求1所述的原位自生的过共晶铝硅合金变质剂的制备方法,其特征在于变质剂是原位自生的微米级的Al2O3颗粒,生成量为熔体总质量的0.2%~1.0%。
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