[发明专利]激光脉冲调制装置

说明书

技术领域

本发明涉及激光调制领域，特别是涉及一种激光脉冲调制装置。

背景技术

在半导体领域，一般通过高温退火的方式将非晶硅转换为多晶硅。这里一般采用激光照射的方式将非晶硅快速上升至一个设定温度。

但是如直接采用峰值功率较大的激光脉冲装置对非晶硅进行照射，可能导致氢爆现象的产生，从而可能造成生成的多晶硅薄膜脱落，影响产品的良率。如采用峰值功率较低的激光脉冲装置对非晶硅进行照射，则非晶硅表面无法在短时间内达到设定温度，并需要进行多次激光脉冲照射才能完成整个转换操作。

故，有必要提供一种激光脉冲调制装置，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不会影响产品的良率且操作难度较小的激光脉冲调制装置；以解决现有的激光脉冲调制装置的易产生氢爆现象以及操作难度较大的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种激光脉冲调制装置，其包括：

第一激光源，用于产生振动方向与传播方向平行的第一线偏振脉冲激光；

第二激光源，用于产生振动方向与传播方向垂直的第二线偏振脉冲激光；以及

第一偏振分光镜，用于对所述第一线偏振脉冲激光和所述第二线偏振脉冲激光进行叠加，以形成一第一整合脉冲激光；

其中所述第一整合脉冲激光的脉冲宽度大于所述第一线偏振脉冲激光的脉冲宽度，所述第一整合脉冲激光的脉冲宽度大于所述第二线偏振脉冲激光的脉冲宽度。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述激光脉冲调制装置还包括：

第二分光镜，用于对入射光线进行分光处理，以形成第一分光激光以及第二分光激光；以及

反射镜组合，用于将所述第二分光镜出射的第二分光激光反射至所述第二分光镜。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述反射镜组合包括用于调整所述第二分光激光的传播方向的多个反射镜。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第二分光镜出射的多条所述第一分光激光相互叠加，以形成第二整合脉冲激光。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第二整合脉冲激光的脉冲宽度大于所述第一整合脉冲激光的脉冲宽度。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第二分光镜的透光率为20％至50％，所述第二分光镜的反射率为50％至80％。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第一线偏振脉冲激光在所述第一偏振分光镜上发生全透射，所述第二线偏振脉冲激光在所述第一偏振分光镜上发生全反射。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第一线偏振脉冲激光的脉冲宽度等于所述第二线偏振脉冲激光的脉冲宽度。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第一线偏振脉冲激光的脉冲开始时间与所述第二线偏振脉冲激光的脉冲开始时间的差值小于所述脉冲宽度。

在本发明所述的激光脉冲调制装置中，所述第一线偏振脉冲激光的脉冲宽度的范围为20纳秒至200纳秒。

相较于现有的激光脉冲调制装置，本发明的激光脉冲调制装置使用双激光源形成功率以及脉宽适合的整合激光脉冲，从而提高了产品的良率，且操作难度较小；解决了现有的激光脉冲调制装置的易产生氢爆现象以及操作难度较大的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的激光脉冲调制装置的第一优选实施例的结构示意图；

图2A为本发明的激光脉冲调制装置的第一优选实施例的激光脉冲波形图之一；

图2B为本发明的激光脉冲调制装置的第一优选实施例的激光脉冲波形图之二；

图3为本发明的激光脉冲调制装置的第二优选实施例的结构示意图；

图4A为本发明的激光脉冲调制装置的第二优选实施例的激光脉冲波形图之一；

图4B为本发明的激光脉冲调制装置的第二优选实施例的激光脉冲波形图之二。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。