[发明专利]一种弯曲不敏感多模光纤

权利要求书

1.一种弯曲不敏感多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.2，其特征在于芯层的半径R1为23~27μm，芯层中心位最大相对折射率差Δ1_max为0.9%~1.2%，芯层边缘位最小相对折射率差Δ1_min为-0.06% ~-0.03%，所述的包层由内到外依次为第一内包层、第二内包层、下陷包层以及外包层，所述的第一内包层宽度（R2-R1）为0.5~2μm，相对折射率差Δ2为-0.07% ~-0.03%，所述的第二内包层宽度（R3-R2）为1.8~2.2μm，相对折射率差Δ3为-0.03%~0.03%，所述的下陷包层宽度（R4-R3）为2.5~6.0μm，相对折射率差Δ4为-1.0% ~-0.3%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。

2.按权利要求1所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位氟掺杂的贡献量ΔF1_inner为-0.10% ~ -0%，芯层边缘位氟掺杂的贡献量ΔF1_outer为-0.50% ~ -0.10%。

3.按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述的第一内包层相对折射率差Δ2小于或等于芯层边缘位的折射率Δ1_min，即Δ2≤Δ1_min。

4.按权利要求2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于由芯层中心位到芯层边缘位，F掺杂贡献量的绝对值呈递增状。

5.按权利要求2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于第一内包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF2为-0.20% ~ -0.03%；第二内包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF3为-0.05% ~ 0%。

6.按权利要求5所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1_outer，第一内包层F掺杂的贡献量ΔF2，以及第二内包层F掺杂的贡献量ΔF3三者的关系为ΔF1_outer<ΔF2<ΔF3。

7.按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述光纤的DMD Inner Mask（5-18μm）和DMD Outer Mask（0-23μm）均小于或等于0.33 ps/m；DMD Interval Mask 小于或等于0.25 ps/m。

8.按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长具有1500 MHz-km或1500 MHz-km以上带宽，在1300nm波长具有500 MHz-km或500 MHz-km以上带宽。

9.按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述光纤在850nm波长具有2000 MHz-km或2000 MHz-km以上的有效模式带宽。

10.按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述光纤的数值孔径为0.185~0.215；所述光纤在850nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0.2dB；在1300nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0.5dB。