[发明专利]一种实现在线电阻率调试的单晶炉及其控制方法

权利要求书

1.一种实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，所述单晶炉包括顶部的副腔室(11)与底部的加热腔室(10)，所述副腔室(11)与加热腔室(10)之间设有活动隔板(5)，所述副腔室(11)的侧壁安装有伸缩杆(2)和加料腔室(1)，所述伸缩杆(2)为硬质空心杆，所述硬质空心杆的杆头上安装有电阻率测试探头(201)，所述电阻率测试探头(201)的连接导线处于硬质空心杆中；所述加料腔室(1)带有内外密封盖板并连接有惰性气体管路，其特征在于，所述控制方法包括如下步骤：

a)保持活动隔板(5)为打开状态，保持加料腔室(1)的内外密封盖板为关闭状态形成独立的密封腔，先用籽晶引晶得到小块单晶体(4)；

b)用丝绳(3)向上将小块单晶体(4)提拉出加热腔室(10)，然后将副腔室(11)与加热腔室(10)之间的活动隔板(5)盖好；

c)待小块单晶体(4)冷却至预定的温度时，将副腔室(11)中的伸缩杆(2)推出，使得电阻率检测探头(201)接近小块单晶体(4)，测量出小块单晶体(4)预定位置的电阻率；

d)若电阻率符合预定要求，打开活动隔板(5)直接进行单晶拉制；否则打开加料腔室(1)的外密封盖板，添加掺杂剂到加料腔室(1)中；

e)封闭加料腔室(1)的外密封盖板，打开加料腔室(1)的内密封盖板，并通入惰性气体将掺杂剂顺着气体的流向由副腔室(11)带到加热腔室(10)的硅熔液表面；静置10～30分钟后，待掺杂剂在硅熔液中扩散均匀后再进行单晶拉制。

2.如权利要求1所述的实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，其特征在于，所述加料腔室(1)的一侧设有内密封盖板(101)，另一侧设有外密封盖板(102)和充气口(103)，所述充气口(103)连接惰性气体管路。

3.如权利要求1所述的实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，其特征在于，所述伸缩杆(2)包括活动推杆(202)，所述活动推杆(202)内设有连接导线和电阻率测试探头(201)相连，所述活动推杆(202)外设有磁流体密封腔(203)。

4.如权利要求1所述的实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，其特征在于，所述活动隔板(5)为带有水冷的隔板。

5.如权利要求1所述的实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，其特征在于，所述步骤a)中引晶过程如下：控制晶转转速范围为6～11r/min，坩埚转速为10～12r/min，放肩到直径10cm后得到小块单晶体(4)。

6.如权利要求1所述的实现在线电阻率调试的单晶炉的控制方法，其特征在于，所述掺杂剂为颗粒状n型或p型掺杂剂，所述惰性气体管路上设有流量控制器，所述步骤e)使用惰性气体作为辅助载气，通过控制惰性气体流量，将掺杂剂带入底部加热腔室(10)的熔融硅液中。