[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种芯片接合膜，其特征在于，

加热处理前在150℃下的储存弹性模量E’1为0.1MPa～10MPa，

所述E’1与在150℃下加热1小时后在150℃下的储存弹性模量E’2之差即E’2-E’1为5MPa以下。

2.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

所述E’1与所述E’2之比即E’1/E’2为0.2～1。

3.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

加热处理前在150℃下的损失弹性模量E”1与在150℃下加热1小时后在150℃下的损失弹性模量E”2之差即E”2-E”1为1MPa以下，

所述E”1与所述E”2之比即E”1/E”2为0.2～1。

4.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

加热处理前的损耗角正切tanδ1的峰值温度与在150℃下加热1小时后的损耗角正切tanδ2的峰值温度之差即tanδ2-tanδ1为10℃以内。

5.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

加热处理前在25℃下的拉伸断裂伸长率L1与在150℃下加热1小时后在25℃下的拉伸断裂伸长率L2之比即L2/L1为0.5～1.0。

6.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

含有丙烯酸系共聚物，

所述丙烯酸系共聚物通过将含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯、和1重量％～30重量％的丙烯腈的单体原料聚合而得到，并且具有环氧基或羧基作为官能团。

7.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

实质上不含有热交联催化剂。

8.如权利要求1所述的芯片接合膜，其特征在于，

相对于全部有机树脂组合物，含有0～15重量％的热交联剂。

9.如权利要求8所述的芯片接合膜，其特征在于，

所述热交联剂为选自环氧系热交联剂、酚系热交联剂、酸酐系热交联剂中的至少1种以上。

10.一种带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，

在切割片上设置有权利要求1～9中任一项所述的芯片接合膜。

11.一种半导体装置，其特征在于，

使用权利要求1～9中任一项所述的芯片接合膜、或权利要求10所述的带有切割片的芯片接合膜而制造。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备权利要求10所述的带有切割片的芯片接合膜；

贴合工序，将所述带有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜与半导体晶片的背面贴合；

切割工序，将所述半导体晶片与所述芯片接合膜一起切割，形成芯片状的半导体芯片；

拾取工序，将所述半导体芯片与所述芯片接合膜一起从所述带有切割片的芯片接合膜拾取；

芯片接合工序，通过所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半导体芯片；

密封工序，在所述芯片接合工序之后，利用密封树脂将所述半导体芯片密封。