[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多层接线层，形成在所述半导体衬底之上；

第一绝缘膜，形成在所述多层接线层之上；

焊盘，形成在所述第一绝缘膜上并且由层积膜形成，所述层积膜包括第一金属膜、形成在所述第一金属膜之上的第二金属膜、以及形成在所述第二金属膜之上的第三金属膜；以及

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述焊盘之上，所述第二绝缘膜具有第一开口，使得所述焊盘的上表面从所述第一开口中暴露，

其中，所述第三金属膜具有缝，使得在俯视图中所述缝被设置在离所述第一开口一定空间处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二金属膜包含铝作为主要成分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一金属膜和所述第二金属膜包含氮化钛、钛和钛-钨作为用于阻挡金属的材料，并且

其中所述第一金属膜和所述第二金属膜的每一个的厚度小于所述第二金属膜的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在俯视图中所述缝围绕所述第一开口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述缝形成为环形状，以便于在俯视图中围绕所述第一开口。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜具有第二开口，使得所述第二金属膜的上表面从所述第二开口中暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在由所述第一开口限定的区域中，所述第三金属膜被移除并且所述第二金属膜被暴露。