[发明专利]一种丝网印刷工艺制备铜铟镓硒薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510146529.9 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104810431A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 卫国 | 申请（专利权）人： | 安徽省嘉信包装印务有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 丝网 印刷 工艺 制备 铜铟镓硒 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种丝网印刷工艺制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于:包括以下步骤：
（1）原料准备： CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒，玛瑙球，乙醇，乙基纤维素，松油醇；
（2）将步骤（1）中的CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒通过行星球磨机研磨获得均匀
的CIGS纳米粉末；
（3）将步骤（1）中的玛瑙球与步骤（2）中的CIGS纳米粉末按照质量比
36:1, 再加入乙醇, 通过行星球磨机，研磨30-35h，得到混合纳米粉末；
（4）将步骤（3）中的混合纳米粉末与乙基纤维素、乙醇、松油醇混合, 经机械搅拌超声振荡10-12h后, 用旋蒸仪分离溶液中的乙醇, 得到CIGS胶体浆料；
（5）在石英玻璃基底上通过丝网印刷CIGS胶体获得CIGS前驱层, 经管式炉高温处理得到CIGS薄膜。
2.根据权利要求1所述的丝网印刷工艺制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（1）中CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒的粒径为120-140μm。
3. 根据权利要求1所述的丝网印刷工艺制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（3）中行星球磨机的转速为500r/min，研磨30-35h，得到混合纳米粉末。
4. 根据权利要求1所述的丝网印刷工艺制备铜铟镓硒薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（5）中管式炉高温控制在620-850℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽省嘉信包装印务有限公司，未经安徽省嘉信包装印务有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510146529.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
