[发明专利]硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器

权利要求书

1.硅基LED芯片切割方法，其特征在于：按照以下步骤进行，

a、取硅基芯片样版片，将硅基芯片样版本贴于SPV224白膜表面，然后放在镭射切割机的载盘上，并将载盘移动至镭射源下方，并启动真空吸紧胶膜；

b、将分光器安装在雷射源与放大器之间后进行试切，检查硅基芯片样版片表面的切痕辨别被分出的多个镭射点是否在同一水平线上，若不在，调整分光镜的镜片角度，再试切，直至被分出的多个镭射点在同一水平线上；再取一分光镜安装在放大器与反光镜之间，然后进行试切、调整，直至被分出的多个镭射点在同一水平线上；

c、调整功率、量测和检查切深，打开镭射源功率与量测，将多点镭射光点打在量侧仪表面，通过调整电流与频率，左右滑动硅基芯片样版本，然后取下硅基芯片样版本，在高倍显微镜下检查切深；

d、切深满足后，取硅基芯片按照步骤a、b、c调整水平，设定边界，确定标准点，开始切割。

2.根据权利要求1所述的硅基LED芯片切割方法，其特征在于：所述步骤c中所述镭射源的输出功率为3w，切深为40-60um。

3.根据权利要求1所述的硅基LED芯片切割方法，其特征在于：所述的分光器包括底座、安装板和分光镜片，所述底座上设置有安装板，所述安装板上设置有阶梯通孔，所述阶梯通孔内设置有分光镜片，所述分光镜片的下端设置有定位螺塞，分光镜片的上端设置有微调螺塞，分光镜片外部设置有镜片定位圆环，所述镜片定位圆环通过螺栓固定在安装板上。