[发明专利]栅导体层及其制造方法

权利要求书

1.一种制造栅导体层的方法，包括：

向由栅侧墙限定的沟槽中填充导电材料粉末；以及

对填充的导电材料粉末进行激光退火，使其熔化/融化，然后冷却再结晶以形成导电材料层，所述导电材料层形成所述栅导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，分多次向沟槽中填充导电材料粉末，且在每次填充后进行激光退火。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，每次填充的导电材料粉末包括不同成分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在填充导电材料粉末之前，该方法还包括：

向沟槽中填充栅介质层。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

向沟槽中填充功函数调节层，其中功函数调节层设于栅介质层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成栅导体层之后，该方法还包括：

进行平坦化处理，以去除沟槽外存在的栅介质层部分和功函数调节层部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，导电材料粉末包括TiN、W、Al和Cu中至少之一。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：去除沟槽外存在的导电材料粉末。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，利用胶带进行去除。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，激光退火局限于沟槽所在的区域。

11.一种栅导体层，包括实质上无空洞和毛孔的导电材料，其中，所述导电材料包括熔融后再结晶的导电材料。