[发明专利]外延生长工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及EPI(外延)生长工艺。

背景技术

目前，EPI(外延)生长工艺是半导体制造过程中较常见的工艺，但是EPI后，特别是厚EPI工艺后，常常会带来一个问题：即形成了不良的光刻标记。如图1所示，在EPI工艺前，光刻标记清晰可见；而EPI工艺后，形成的不良的光刻标记，甚至几乎不可见，如图2所示。不良的光刻标记会直接造成后续光刻对准工艺的困难，甚至无法对准。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种外延生长工艺方法，它可以改善光刻对准标记。

为解决上述技术问题，本发明的外延生长工艺方法，步骤包括：

1)在晶圆衬底上，形成光刻标记；

2)生长外延；

3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；

4)重复步骤2)～3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。

所述衬底的材质为适合进行外延生长工艺的材质，例如单晶硅。

较佳的，每次外延生长的厚度为5～15μm。

本发明通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性。

附图说明

图1是EPI工艺前的光刻标记。

图2是EPI工艺后的光刻标记。其中，图(b)是图(a)的光刻标记的局部放大图。

图3是本发明实施例在生长EPI前做的第一组光刻标记。

图4是本发明实施例第一次生长EPI后的第一组光刻标记。

图5是本发明实施例第一次生长EPI后做的第二组光刻标记。

图6是本发明两次EPI后的光刻标记。

具体实施方式

为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：

请参阅图3-6所示，本实施例的外延生长工艺方法，具体工艺步骤为：

步骤1，在一片晶圆衬底上，形成第一组光刻标记，如图3所示。所述衬底可以是适合EPI外延生长工艺的任何材质，例如单晶硅等。

步骤2，第一次生长EPI，厚度不超过15μm。因为EPI不是很厚，所以第一次生长EPI后，第一组光刻标记能较好的保持形状，如图2所示。

步骤3，在第一次EPI的材质上，利用第一组光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成第二组光刻标记，如图3所示。

步骤4，第二次生长EPI。第二次生长EPI后，第一组光刻标记已经有不良现象了，而第二组光刻标记还能较好的保持形状，如图4所示。

以此类推，可以循序地做下去，根据最终外延生长需要的厚度，平均分配EPI和光刻工艺的次数，以多次EPI和光刻工艺的结合，得到较好的光刻标记，以维持后续光刻工艺的稳定性和准确性。外延生长需要的厚度越厚，次数可以越多，一般以厚度5～15μm/次为佳。