[发明专利]掩膜只读存储器及其制造方法和使用方法

权利要求书

1.一种掩膜只读存储器，所述掩膜只读存储器包括：硅衬底上的P阱，P阱两侧浅隔离槽，P阱上部具有多个N型埋源/漏区，栅氧位于P阱和浅隔离槽上方，N型多晶硅栅位于栅氧上方，N型多晶硅栅两侧具有隔离侧墙，N型多晶硅栅下方两个N型埋源/漏之间具有至少一组对应的沟道区和P型源漏注入区，P型源漏注入区掺杂浓度大于沟道区掺杂浓度；P型多晶硅栅位于N型多晶硅栅两侧，N型多晶硅和隔离侧墙之间；其特征在于：采用沟道区作为信息“0”的存储单元，采用P型源漏注入区作为信息“1”的存储单元。

2.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于：所述P型多晶硅栅下方也具有P型源漏注入区。

3.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于：所述N型多晶硅栅的掺杂浓度大于N型埋源/漏区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于：还包括P型多晶硅栅和N型多晶硅栅上面的金属硅化物实现栅电极连接。

5.一种掩膜只读存储器的制造方法，其特征在于，包括:

1)在硅衬底两侧制作浅隔离槽；

2)对硅衬底进行离子注入形成P阱；

3)对P阱进行离子注入形成N型埋源/漏区；

4)在P阱和浅隔离槽上方制作栅氧；

5)在栅氧上淀积多晶硅，在多晶硅两侧制作隔离侧墙；

6)在多晶硅上涂光刻胶，去除多晶硅中间部分的光刻胶，保留多晶硅两侧边缘部分的光刻胶，打开注入窗口；

7)注入N型离子形成N型多晶硅栅，并去除多晶硅两侧边缘部分光刻胶；

8)在N型多晶硅栅上方涂光刻胶将N型多晶硅栅遮蔽；

9)注入P型离子在在N型多晶硅栅两侧成P型多晶硅栅；

10)对N型多晶硅栅下方至少一个沟道区进行P型离子注入，形成P型源漏注入区；

所述沟道区是指两个N型埋源/漏之间的P阱部分。

6.如权利要求5所述掩膜只读存储器的制造方法，其特征在于：还包括11)对P型多晶硅栅下方进行P型离子注入，形成P型源漏注入区。

7.如权利要求5所述掩膜只读存储器的制造方法，其特征在于：制作N型多晶硅栅的掺杂浓度大于制作N型埋源/漏区的掺杂浓度。