[发明专利]一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置及方法

权利要求书

1.一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，包括：

晶圆上片装置，用于待清洗晶圆上片、传输；

清洗装置，用于待清洗晶圆之表面清洁，并进一步包括具有不同清洗功效的清洗单元，且所述清洗单元还包括依次顺序相连的化学品槽和去离子水槽；

真空腔室，设置在所述晶圆上片装置和所述清洗装置之间，所述待清洗之晶圆便通过所述真空腔室之硅片进出窗口传送至所述清洗装置内；

干燥装置，设置在所述清洗装置和所述真空腔室之间，并用于对所述清洗后之晶圆进行干燥。

2.如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述真空腔室进一步包括与所述晶圆上片装置连接的真空过渡室、与所述清洗装置连接的真空室，以及设置在所述真空过渡室和所述真空室之间的真空缓冲室，且所述真空室之真空度高于所述真空缓冲室之真空度，所述真空缓冲室之真空度大于所述真空过渡室之真空度。

3.如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述真空腔室进一步包括与所述真空腔室连通的泵抽单元。

4.如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述清洗装置之清洗单元的数量至少为1个，且所述待清洗晶圆依次通过所述清洗单元之化学品槽、去离子水槽进行清洗。

5.如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述化学品槽之化学溶剂为SC1清洗液、SC2清洗液、SPM清洗液、氢氟酸清洗液、稀释氢氟酸的至少其中之一。

6.如权利要求5所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述SC1清洗液为APM(Ammonium hydroxide/hydrogen peroxide/ DI water mixture)，其配方为：NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1:5～1:2:100。

7.如权利要求5所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述SC2为HPM(Hydrochloric acid/hydrogen peroxide/DI water mixture)，其配方为：HCL:H₂O₂:H₂O＝1:1:5～1:2:100。

8.如权利要求5所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述SPM清洗液为SPM(Sulphuric acid/hydrogen peroxide/DI water mixture)，其配方为：硫酸与双氧水的体积比为:5:1～20:1 。

9.如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置之干燥装置所采用的干燥方法为旋转干燥法、异丙醇加热雾化干燥法、Marangoni干燥法的其中之一。

10.一种通过如权利要求1所述的防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的方法，其特征在于，所述防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的方法，包括：

执行步骤S1：将待清洗晶圆通过所述晶圆上片装置传送至所述真空腔室；

执行步骤S2：所述待清洗之晶圆通过所述真空腔室之硅片进出窗口传送至所述清洗装置；

执行步骤S3：将已完成清洗之晶圆传送至干燥装置进行干燥；

执行步骤S4：将已完成干燥之晶圆通过所述真空腔室传送至所述晶圆上片装置。