[发明专利]一种具有强Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备厚度为500-700nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜；(2)将步骤(1)得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜在600℃温度下的空气中保温10～50分钟，即制得所述具有强Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)按以下步骤操作：对单晶硅片采用金刚石研磨膏打磨半小时，打磨后的单晶硅片依次用去离子水和丙酮超声波清洗、干燥后作为纳米金刚石薄膜生长的单晶硅衬底，将单晶硅衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，其中氢气、丙酮的流量比为200：90，热丝与单晶硅衬底的距离为7mm，反应功率为2200W，工作气压为1.63Kpa；薄膜生长时间为15～20分钟；在反应过程中不加偏压，生长结束后，在不通氢气的条件下降温冷却，制备得到厚度为500-700nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1或2所述的方法制得的单颗粒层纳米金刚石薄膜。

4.如权利要求3所述的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其特征在于所述薄膜在光致发光谱的738nm处具有很强的Si-V发光性能。