[发明专利]光刻对准标记结构及其制造方法

权利要求书

1.一种光刻对准标记结构的制造方法，其特征在于，包括：

按时间顺序依次光刻并刻蚀出至少一层用于被对准的前层光刻对准图形；

选取至少一层所述前层光刻对准图形用作当层光刻对准图形建立时的被对准图形，并根据所选取的前层光刻对准图形的套刻精度，建立与所选取的前层光刻对准图形均对准的当层光刻对准图形，包括：

根据所选取的前层光刻对准图形的套刻精度，在当层建立内框和外框；

分别测量所述内框和外框相对于所选取的前层光刻对准图形的套刻精度；

将测量的套刻精度的平均值作为当层光刻对准图形的套刻精度；

对当层光刻对准图形进行蚀刻，以作为后层光刻对准图形的被对准标记；

选取至少一层所述前层光刻对准图形和/或蚀刻后的当层光刻对准图形用作所述后层光刻对准图形建立时的被对准图形，并根据所选取的光刻对准图形的套刻精度，建立与所选取的光刻对准图形均对准的后层光刻对准图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造方法应用于3次以上曝光制程时，包括：

光刻并刻蚀出用于被对准的第一层光刻对准图形；

依据第一层光刻对准图形的套刻精度，建立与第一层光刻对准图形对准的第二层光刻对准图形，并测量第二层光刻对准图形相对于第一层光刻对准图形的套刻精度；

对第二层光刻对准图形进行蚀刻，以作为第三层光刻对准图形的被对准图形；

选取第一层光刻对准图形和/或第二层光刻对准图形作为第三层光刻对准图形的被对准图形，依据所选取的光刻对准图形的套刻精度，建立与所选取的光刻对准图形对准的第三层光刻对准图形，并测量第三层光刻对准图形相对于所选取的光刻对准图形的套刻精度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造方法应用于4次以上曝光制程时，包括：

光刻并刻蚀出用于固定的被对准的前层光刻对准图形；

依据前层光刻对准图形的套刻精度，依次建立与前层光刻对准图形对准的三层连续的光刻对准图形；

分别测量三层连续的光刻对准图形相对于前层光刻对准图形的套刻精度。