[发明专利]等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，包括：

顶部圆盘，为石英材质制备，并构成所述等离子体刻蚀设备之腔体顶部；

腔体侧壁，与所述顶部圆盘形成密封面，且进一步与腔体底板围闭形成真空腔室；

密封圈，设置在所述顶部圆盘与所述腔体侧壁之间；以及，

弹性薄片，设置在所述顶部圆盘与所述腔体侧壁之间，并与所述密封圈间隔设置，且位于所述密封圈之面向所述真空腔室的一侧。

2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘上设置测温孔。

3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘之异于所述腔体侧壁一侧设置射频系统。

4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述弹性薄片具有耐腐蚀涂层，且所述耐腐蚀涂层为Al₂O₃涂层、Y₂O₃涂层、Y₃Al₅O₁₂涂层、B₄C涂层、ZrO₂/Y₂O₃涂层、YSZ涂层的其中之一。

5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述腔体侧壁具有耐腐蚀涂层，且所述耐腐蚀涂层为Al₂O₃涂层、Y₂O₃涂层、Y₃Al₅O₁₂涂层、B₄C涂层、ZrO₂/Y₂O₃涂层、YSZ涂层的其中之一。

6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述真空腔室进行等离子体刻蚀工艺所采用的反应气体为CF₄/O₂、NF₃、Cl₂、CH₄/Ar的其中之一。

7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述真空腔室进行等离子体刻蚀工艺所产生的活性自由基为Cl基和F基。

8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘和所述腔体侧壁之间的弹性薄片进行更换使用。

9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述弹性薄片更换使用，直至所述顶部圆盘之面向所述真空腔室一侧被刻蚀至所述测温孔底端时更换所述顶部圆盘。

10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备之顶部圆盘的使用寿命增加至少60％。