[发明专利]Au‑Cu合金材料、包含其的纯自旋流器件及其应用有效
| 申请号： | 201510149854.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104775049B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 邹吕宽;蔡建旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C5/02;H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,梁田 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | au cu 合金材料 包含 自旋 器件 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种纯自旋流器件，包括用于产生纯自旋流的自旋流生成材料体，其中，所述自旋流生成材料体由Au-Cu合金材料形成，其化学式为AuaCu100-a，其中，17％≤a≤83％；
其中，所述自旋流生成材料体为由所述Au-Cu合金材料形成的薄膜，所述薄膜的厚度为1～100nm。
2.根据权利要求1所述的纯自旋流器件，其特征在于，39％≤a≤61％。
3.根据权利要求2所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述化学式为Au60Cu40。
4.根据权利要求3所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述薄膜的厚度为2～70nm。
5.根据权利要求4所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述薄膜的厚度为2～10nm。
6.根据权利要求4或5所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述薄膜采用高真空磁控溅射法制备而成。
7.根据权利要求6所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述Au-Cu合金材料的自旋霍尔角为0.003～0.01。
8.根据权利要求7所述的纯自旋流器件，其特征在于，所述Au-Cu合金材料的自旋霍尔角为0.01。
9.Au-Cu合金材料在如权利要求1所述的纯自旋流器件中的应用。
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