[发明专利]一种改进的纳米多孔铜薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种改进的纳米多孔铜薄膜，其特征在于：在纳米多孔铜的表面修饰有单层石墨烯。

2.如权利要求1所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜，其特征在于：在所述的纳米多孔铜薄膜中，铜元素和锰元素的质量比为86~97：4~13。

3.如权利要求1所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜，其特征在于：所述的纳米多孔铜薄膜中的平均孔径分布为40~80 nm。

4.权利要求1所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

一个在单晶硅片上溅射锰靶材和铜锰合金靶材的步骤，将锰靶材和铜锰合金靶材放入磁控溅射制膜仪腔内的靶位上，将单晶硅片固定到靶位正上方的托盘上，关闭腔体并开始抽真空，腔体真空度抽到1.0~1.5×10^-4 Pa后，设置溅射条件为溅射功率直流45~55 W、Ar气压力为0.5 Pa，打开纯锰靶材开始溅射，8~15 min后停止纯锰溅射，在硅片上制备得了一层纯锰薄膜，厚度为120~150nm，然后打开铜锰靶材开始溅射，30~50 min后停止铜锰溅射，在纯锰薄膜上形成一层铜锰合金薄膜，厚度为500~800nm；

一个采用脱金法对铜锰合金薄膜进行腐蚀的步骤，将步骤1）获得的铜锰合金薄膜放进盐酸溶液中进行腐蚀，盐酸溶液的浓度为0.05~0.2 M，腐蚀温度为20~30 ℃，反应2~25 h后得到纳米多孔铜薄膜；

将制备好的纳米多孔铜薄膜在去离子水中泡洗去除表面盐酸残留液；

将洗干净的纳米多孔铜薄膜放入石墨烯凝胶中浸泡，浸泡温度为20~30 ℃，浸泡5~8 h取出，在去离子水中泡洗去除表面浮着的石墨烯凝胶，得到与石墨烯复合的纳米多孔铜薄膜。

5.如权利要求4所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜的制备方法，其特征在于：所述的铜锰合金靶材中，铜元素和锰元素的质量比为29~34；66~71。

6.如权利要求4所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜的制备方法，其特征在于：在所述的纳米多孔铜薄膜中，铜元素和锰元素的质量比为86~97：4~13。

7.如权利要求4所述的一种改进的纳米多孔铜薄膜的制备方法，其特征在于：所述的纳米多孔铜薄膜中的平均孔径分布为：40~80 nm。