[发明专利]SCB集成Al/MxOy纳米含能复合薄膜的电爆换能元

权利要求书

1.一种SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，由下向上依次包括Si基底(1)、SiO₂绝缘层(2)、N型重掺杂多晶硅桥(3)、金属焊盘(4)、Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)，所述Si基底(1)的上表面有SiO₂绝缘层(2)，SiO₂绝缘层(2)上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，N型重掺杂多晶硅层的中间部分刻蚀形成N型重掺杂多晶硅桥(3)，N型重掺杂多晶硅桥(3)两侧的N型重掺杂多晶硅层上表面均设置金属焊盘(4)，N型重掺杂多晶硅桥(3)的桥区上方覆盖Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)，所述Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)的底层为M_xO_y薄膜，M_xO_y薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且M_xO_y薄膜和Al薄膜的厚度均为纳米级。

2.根据权利要求1所述的SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，所述N型重掺杂多晶硅桥(3)桥区的形状为正方形、长方形或V字形。

3.根据权利要求1所述的SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，所述金属焊盘(4)的材料为Au、Al、Pt、Ti或Cu。

4.根据权利要求1所述的SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，所述Al/M_xO_y氧化物纳米复合薄膜(5)中Al/M_xO_y为Al/CuO、Al/MoO₃或Al/Fe₂O₃。

5.根据权利要求4所述的SCB集成Al/M_xO_y纳米含能复合薄膜的电爆换能元，其特征在于，所述Al/CuO纳米复合薄膜的调制周期是80nm，其中Al薄膜的厚度是26nm，CuO薄膜的厚度是54nm；Al/MoO₃纳米复合薄膜的调制周期是75nm，其中Al薄膜的厚度是30nm，MoO₃薄膜的厚度是45nm；Al/Fe₂O₃纳米复合薄膜的调制周期是75nm，其中Al薄膜的厚度是30nm，Fe₂O₃薄膜的厚度是45nm。