[发明专利]一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺

权利要求书

1.一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，其特征在于：所述工艺在环境温度为20-25℃之内进行，其工艺步骤中包括：

A、称重：据工艺要求，称取金属镓0.8-1克置于合金勺内；

B、熔化：将上述合金勺放入熔化炉内，控制炉内温度50-60℃，熔化时间4-7min得到熔融液；

C、快速冷却：在籽晶端面上开槽，之后进行腐蚀清理，将熔融液倒入籽晶端面上，然后用夹持器以端面垂直向上夹持住籽晶放入冷冻室冷却，冷却时间大于3min，冷却温度-10—0℃；

D、存放、备用：将籽晶从冷冻室内取出，存放于专用容器内，备用。

2.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，其特征在于：所述的籽晶为方籽晶，其端面为正方形。

3.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，其特征在于：所述的开槽方式为4*3，槽深度小于1mm。

4.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，其特征在于：所述的腐蚀清理包括如下步骤：

1)、将籽晶放入已配有分析纯硝酸和分析纯氢氟酸的塑料盒中，其中，分析纯硝酸与分析纯氢氟酸体积比为(6-8):1，用塑料条搅拌，以使籽晶表面腐蚀均匀；

2)、待腐蚀合格后，迅速捞入水中，以免造成氧化；

3)、将籽晶擦干装袋。