[发明专利]一种大规模集成电路封装用MQ硅树脂及制备方法在审
| 申请号： | 201510151802.7 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104804191A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 熊诚;宋坤忠;惠正权;薛中群 | 申请（专利权）人： | 江苏三木化工股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/04 | 分类号： | C08G77/04;C08G77/20;C08G77/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 杨海军 |
| 地址： | 214258 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大规模集成电路 封装 mq 硅树脂 制备 方法 | ||
1.一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的树脂，其特征在于，该树脂由正硅酸乙酯和封端剂缩聚而成，正硅酸乙酯与封端剂摩尔比为1.5～3。
2.根据权利要求1所述的一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的树脂，其特征在于，所述的封端剂为六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基硅氧烷以及1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷中的一种或几种。
3.一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在带有机械搅拌、温度计、回流冷凝管和滴液漏斗的四口瓶中加入正硅酸乙酯和封端剂，开动搅拌；
（2）从滴液漏斗滴加对甲基苯磺酸的水溶液，升温至70℃以上进行水解反应；
（3）反应结束后加入NH4HCO3中和至pH=6~7；
（4）加入萃取剂进行溶解，然后倒入分液漏斗中，分去下层水溶液，取上层溶液，用水洗至中性；
（5）减压蒸馏除去萃取剂和低沸点化合物，得到MQ硅树脂。
4.根据权利要求3所述的一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的制备方法，其特征在于，所述萃取剂为甲苯、二甲苯或联二甲苯中的一种或几种。
5.根据权利要求3所述的一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的制备方法，其特征在于，所述的封端剂为六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基硅氧烷以及1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷中的一种或几种。
6.根据权利要求3所述的一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的制备方法，其特征在于，所述的正硅酸乙酯与封端剂摩尔比为1.5-3。
7.根据权利要求3所述的一种适用于大规模集成电路封装材料用MQ硅树脂的制备方法，其特征在于，步骤（2）从滴液漏斗滴加适量的对甲基苯磺酸的水溶液，升温至70℃～90℃进行水解反应。
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