[发明专利]一种新型高储能密度电容器材料的合成方法在审
申请号: | 201510151996.0 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104803424A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 刘建兰;吴煜 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C01G53/00 | 分类号: | C01G53/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 高储能 密度 电容器 材料 合成 方法 | ||
1.一种新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于所述的方法包括以下几个步骤:
(1)配制0.1mol/L的AgI2-/DMF溶液,将0.865gAgNO3溶于10mlDMF,往得到的溶液中加入20ml饱和的KI/DMF溶液并充分搅拌至溶液变清晰,再用DMF将溶液稀释到50ml;
(2)依次将水合Zn(NO3)2、水合Ni(NO3)2溶于DMF后加入到0.1mol/L的AgI2-/DMF溶液中;
(3)混合放置一段时间让起生长晶体;
(4)反应后得到的反应液过滤,之后洗涤、晾干。
将步骤(2)中的溶液加入乙二胺,在温度为-5~15℃条件下反应。
2.根据权利要求1所述的新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于:(步骤2)中水合Zn(NO3)2、水合Ni(NO3)2物质的量额比例分别为1∶9、3∶7、5∶5、7∶3、9∶1。
3.根据权利要求1新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于(步骤2):关于0.1mol/L的AgI2-/DMF溶液,AgNO3与DMF的配比1∶10~11,以及用到的饱和KI/DMF溶液用量约20ml。
4.根据权利要求3所述的新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于:步骤(1)中搅拌的速度为300~800rpm,搅拌的时间为3~6小时。
5.根据权利要求1所述的新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于:步骤(2)中反应的时间为120~168小时。
6.根据权利要求1所述的新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于:步骤(4)中洗涤所采用的溶剂为乙醇去离子水溶液。
7.根据权利要求1所述的新型高储能密度电容器材料的合成方法,其特征在于:步骤(4)所述的晾干采用烘箱晾干的方式,晾干的时间大约为9小时。
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