[发明专利]一种铝合金铸件力学性能预测方法在审

专利信息
申请号: 201510152484.6 申请日: 2015-04-01
公开(公告)号: CN104899412A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 张滢;刘冀伟;刘宝明;徐晗 申请(专利权)人: 沈阳航空航天大学
主分类号: G06F19/00 分类号: G06F19/00
代理公司: 沈阳火炬专利事务所(普通合伙) 21228 代理人: 李福义
地址: 110136 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 铝合金 铸件 力学性能 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种铝合金铸件力学性能预测方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:浇注试样,建立力学性能与孔隙率、二次枝晶间距的关系;

S2:构建铸件凝固过程中形成显微孔隙、二次枝晶的数学模型;

S3:通过计算机预测显微孔隙、二次枝晶的数值,并根据孔隙率、二次枝晶间距与力学性能的关系预测铝合金铸件的力学性能,如果预测的力学性能不达标,则进入步骤S4,如果力学性能达标,则进入步骤S5;

S4:改进铸造工艺后跳转到步骤S3;

S5:浇注铸件。

2.根据权利要求1所述的铝合金铸件力学性能预测方法,其特征在于,步骤S1具体包括:

S1.1:浇注圆柱形试样和阶梯形试样,制成标准试样,其中圆柱形试样用于测定孔隙率fv和二次枝晶间距DAS,阶梯形试样用于测定力学性能;

S1.2:采用流体静力平衡法测定孔隙率fv,采用直线截取法测定二次枝晶间距DAS;

S1.3:用扫描式电子显微镜SEM观察合金凝固组织、显微孔隙的分布状态,并测试阶梯形试样不同部位的抗拉强度UTS和延伸率δ;

S1.4:应用多元性回归方程对试样凝固工艺参数的测量结果进行处理,得到:UTS=27.102-4.999fv-0.0814DAS,δ=4.632-1.034fv-0.018DAS。

3.根据权利要求1所述的铝合金铸件力学性能预测方法,其特征在于,步骤S2建立的数学模型具体包括:

(1)传热方程为:,式中:ρ是液固相的平均密度,Cp是比热容,T是温度,t是凝固时间,λ是导热系数,L是结晶潜热,fs是固相率;

(2)显微孔隙的数学模型建立:

①在合金凝固过程中,氢气存在于固、液相中,Cs=KCl,式中:为初始气体浓度,Cl为液相中气体浓度,Cs为固相中气体浓度,K为氢气平衡分配系数;

②当残留液相中的氢气浓度达到过饱和度时产生孔隙:Cl-Ccs≥ΔClc,式中:Ccs为液相中气体的平衡浓度,ΔClc为产生孔隙时临界过饱和度;

由Sieverts定律得到:式中:KH为气体在液相中溶解的平衡系数,σ为合金液表面张力,R为孔隙的曲率半径,P为孔隙上面的液态金属静压力;

把产生孔隙的条件转换为压力表达式为:式中:Pg是气泡内的气体压力,ΔPn为产生孔隙的过饱和压力;

当产生孔隙后,

铝合金以粥状凝固,结晶组织大部分为等轴晶,孔隙主要产生在二次枝晶内,孔隙曲率半径R是二次枝晶间距DAS和固相率fs的函数,即R=(1-fs)DAS/2;

③当孔隙产生时,液相中氢气向孔隙内移动,根据氢气的质量守恒:VL1-VL2=VP,式中:VL1为生成孔隙前液相中的氢气量,VL2为生成孔隙后液相中的氢气量,VP为孔隙中的总氢气量,其中VL1=ClgV(1-fs0/100, 式中:V为氢气泡析出前的液相体积,ρ0为合金的理论密度,T0为初始温度,P0为初始压力,N为 总的孔隙个数,

显微孔隙产生后,液相内的氢气浓度为Ccs,固相内的氢气浓度为KHgCcs,由于氢气的析出和凝固收缩促使孔隙增大,设每个时间步长内每个显微孔隙平均体积增量为ΔV=ΔV1+ΔV2,式中:ΔV1为氢气扩散引起的体积增量,ΔV2为显微缩松引起的体积增量,其中ΔV2=VgΔfsgβ/N,式中:Δfs为每个时间步长内的固相率增量,β为凝固体收缩率,由此得到凝固终了时每个显微孔隙的体积为式中:ΣΔV为各个时间步长内变化的总和;

体积V内气泡的总体积V1=NVg,则孔隙率为fv=V1/V;

(3)根据枝晶粗化理论,局部凝固时间和二次枝晶间距DAS的关系式为: 式中:Z是常数,tf是局部凝固时间。

4.根据权利要求1所述的铝合金铸件力学性能预测方法,其特征在于,将求解区域划分为有限个微小单元,在每个单元上利用差分法将传热方程离散化,其有限差分形式为:式中:ρ为i单元的密度,C为i单元的比热容,Vi为i单元的体积,Tt+Δt为t+Δt时刻i单元的温度,Δt为时间步长,Si·j为i单元与j单元之间的传热面积,hi·j为单元之间的热绝热系数,Li·j为i,j单元之间的垂直距离,Ki为i单元复合导热系数,Lj·i为i单元到j单元邻边的垂直距离,Kj为j单元复合导热系数,Ti·j为t+Δt时刻相 邻单元i与j的界面温度,Tt·j为t+Δt时刻j单元的温度。

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