[发明专利]一种自支撑型61Ni同位素靶的制备方法

权利要求书

1.一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下几个步骤：

(1)同位素粉末的凝结

在真空度好于3×10^-4Pa的真空室内，利用电加热装置将⁶¹Ni同位素粉末材料加热至1450℃使其蒸发并冷凝至收集器上，凝结成团聚状；

(2)轧制与真空退火交替进行2～5次

将步骤(1)得到的团聚状⁶¹Ni同位素材料，进行轧制与真空退火过程得到箔状⁶¹Ni同位素材料，并且轧制与真空退火按先后顺序交替进行2～5次；其中真空退火所需的真空好于5×10^-4Pa，退火温度为580～600℃，每次退火时间30～35min；

(3)轧制

将步骤(2)得到的箔状⁶¹Ni同位素材料进行轧制，得到所需厚度和面积的⁶¹Ni同位素靶；

步骤(2)～(3)所述的轧制过程是在轧辊机中进行的，轧辊间距初始设为1.5～2mm。

2.根据权利要求1所述的一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述电加热装置的加热过程为：加热电流以每分钟1～5A的速度提高，加热⁶¹Ni同位素粉末至1450℃后停止加大电流并将电流维持20～40min后将电流降为0。

3.根据权利要求1所述的一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，步骤(2)～(3)所述的轧制，是将⁶¹Ni同位素材料放入两片不锈钢夹片中进行轧制的。

4.根据权利要求1所述的一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的收集器为钽针，且钽针与冷凝装置相连。

5.根据权利要求1所述的一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的退火温度为580℃，退火时间为30min。