[发明专利]一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法有效
| 申请号： | 201510153852.9 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104867818B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 芦伟立;冯志红;李佳;刘庆彬;蔚翠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 碳化硅 外延 材料 缺陷 方法 | ||
1.一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于包括如下步骤：
（1） 衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；
（2） 初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；
（3） 原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；
（4） 再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。
2.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于步骤（2）中初步外延生长的较薄外延层的厚度为1μm～10μm。
3.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）或步骤（4）中的外延生长温度为1300℃～1650℃，外延生长压力为100 mbar～900mbar，载气氢气流量为5 slm～60slm。
4.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（3）中的退火时间为0.5h～5h。
5.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）中外延生长时间1min～60min。
6.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（4）中加入不同流量的HCl气体。
7.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）或步骤（4）中碳生长源为丙烷、乙烯、一氯甲烷的一种或组合。
8.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）或步骤（4）中硅生长源为硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷的一种或组合。
9.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）或步骤（4）中N型掺杂源为氮气。
10.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于所述步骤（2）或步骤（4）中P型掺杂源为三甲基铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
