[发明专利]阵列基板的制造方法及制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及金属氧化物半导体技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法及制造装置。

背景技术

在制造金属氧化物半导体阵列基板的过程中，金属氧化物半导体会随着沟道长度的减小而产生热电子效应，造成漏电流较大，降低金属氧化物半导体的电学性能，影响金属氧化物半导体阵列基板的制造效果。因此，需要对漏电流进行抑制。

现有技术中，主要是通过控制轻掺杂汲极(英文：Lightly Doped Drain；简称：LDD)的长度来对漏电流进行抑制。LDD位于阵列基板的有源层，且位于栅极的下方，LDD的长度由栅极线宽来确定。具体的，可以通过延长或缩短曝光LDD的时间来控制LDD的长度，或者可以通过延长或缩短刻蚀栅极的时间来控制栅极线宽的长度，进而控制LDD的长度，最终达到抑制漏电流的目的。

但是在控制LDD的长度时，一方面，刻蚀栅极需要考虑栅极线宽的计算精度和稳定程度，同时，当栅极线宽确定了，LDD长度也被确定了，从而无法再对LDD长度进行调变；另一方面，曝光LDD和刻蚀栅极两个工艺无法同时进行，控制栅极线宽的条件要求和控制LDD长度的条件要求是相互制约的，需要牺牲一方的条件要求来满足另一方的条件要求，即在制作过程中无法同时满足栅极线宽的条件要求和LDD长度的条件要求，因此，现有的阵列基板的制造方法对LDD长度的控制灵活度较低，且可行性较差。

发明内容

为了解决现有的阵列基板的制造方法对LDD长度的控制灵活度较低，且可行性较差的问题，本发明提供了一种阵列基板的制造方法及制造装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；

在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形，所述栅极光刻胶图形的宽度大于所述栅极图形的宽度；

改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化；

在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区域两侧形成轻掺杂汲极LDD，所述预设区域为所述栅极图形在所述有源层的投影区域，每个所述LDD的长度为(a-b)/2，其中，a为变化后的栅极光刻胶图形的宽度，b为所述栅极图形的宽度；

剥离所述变化后的光刻胶。

可选的，所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包括：

对所述栅极光刻胶图形进行加热处理，使所述栅极光刻胶图形的宽度变长。

可选的，所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包括：

对所述栅极光刻胶图形进行降温处理，使所述栅极光刻胶图形的宽度变短。

可选的，在所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化之前，所述方法还包括:

获取所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数；

确定需要得到的LDD的长度；

根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的LDD的长度，确定光刻胶处理温度；

所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包括:

采用所述光刻胶处理温度处理所述栅极光刻胶图形，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化。

可选的，在所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化之前，所述方法还包括：

根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的LDD的长度，确定处理时长；

所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包括：

在所述处理时长中，改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化。

可选的，所述在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形，包括：

依次通过涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺在形成有所述栅极金属层的基板上形成所述栅极光刻胶图形；

通过刻蚀工艺在形成有所述栅极光刻胶图形的栅极金属层上形成所述栅极图形。

可选的，在所述在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层之前，所述方法还包括：

在所述基板上形成缓冲层。

可选的，所述光刻胶为DL-1000、DL-1000C和DTFR–JCW702中的任意一种。

第二方面，提供了一种阵列基板的制造装置，所述阵列基板的制造装置包括：