[发明专利]一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料，其特征在于，该异质结材料为层状，在n-Si（100）基片上依次设置有氧化硅层，和负载了铂纳米颗粒的石墨烯网层，n-Si（100）基片下还设置有金属电极Ti/Au。

2.根据权利要求1所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料，其特征在于，负载了铂纳米颗粒的石墨烯网层中，铂原子与碳原子的摩尔比为2:98。

3.根据权利要求1所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料，其特征在于，氧化硅层的厚度为1.5-3.0纳米。

4.根据权利要求1所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料，其特征在于，所述的负载了铂纳米颗粒的石墨烯网层的厚度为10-20纳米，其中，石墨烯网层数为2~10层。

5.一种Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将铜网在氩气气氛中从室温加热到1000℃，在1000℃条件下通入氢气，30分钟后，再通入氩气、氢气、甲烷的混合气体，反应10~20分钟，再在氩气保护下，降温至室温，将生长了石墨烯网的铜网用硝酸铁溶液刻蚀后用去离子水清洗，得到石墨烯网；

2）将n-Si（100）基片用丙酮、氢氟酸清洗除去表面的氧化层后，将步骤1）中的石墨烯网转移到硅基片上，在室温下自然氧化15-20小时后形成SiO₂层，再用银胶、银线做为电极，得到GFW/n-Si；

3）将0.1~100mmol/L的高铂酸溶液滴加在GFW/n-Si上，并用能量密度为100mW，波长为405nm的激光，照射100~1000秒，最后将多余的高铂酸溶液除去，得到Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料。

6. 根据权利要求5所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料的制备方法，其特征在于，铜网在氩气气氛中从室温加热到1000℃的升温速率为10-20℃/min。

7. 根据权利要求5所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料的制备方法，其特征在于，氩气、氢气、甲烷的混合气体的体积比为200：2：30。

8.根据权利要求5所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料的制备方法，其特征在于，步骤3）还可以为将10mmol/L的高铂酸溶液滴加在GFW/n-Si上，并用能量密度为100mW，波长为405nm的激光，照射500秒，最后将多余的高铂酸溶液除去，得到Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料，其中10mmol/L高铂酸溶液是用纯度＞99.99%的六水合六氯铂酸溶于去离子水中，在常温、暗室下超声得到的。

9.根据权利要求1~8任一项所述的Pt-GFW/SiO₂/n-Si异质结材料在石墨烯太阳能电池上的应用。