[发明专利]永磁真空断路器的监控系统有效
申请号: | 201510156339.5 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN104777776A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 王祥傲;汪先兵;叶玺臣;王欢;彭靳;张政;庞军 | 申请(专利权)人: | 滁州学院 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉玮 |
地址: | 239000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 永磁 真空 断路器 监控 系统 | ||
1.永磁真空断路器的监控系统,包括:整流滤波模块、充电控制模块、电源模块,包含第一微处理器和第二微处理器的下位机,其特征在于,所述监控系统还包括:合闸电容自放电模块、分闸电容自放电模块、滤波电容自放电模块、上位机监控平台,其中:
整流滤波模块:其输入端接交流电,其输出端接充电控制模块输入端,输出平滑的直流电给充电控制模块;
充电控制模块:其控制端接第一微处理器输出端,其输出端接合分闸线圈控制电路的输入端,输出电能给操动机构合分闸电容充电;
第一微处理器:其输入端接合分闸电容充电电压信号以及电流采样信号,输出驱动信号至充电控制模块控制端,输出请求发送合分闸电容充电电压信号、电流采样信号的指令至上位机监控平台,在收到允许信号后向上位机监控平台实时发送合分闸电容充电电压信号、电流采样信号;
第二微处理器:其I/O端与测量装置连接,将测量装置采集的动铁芯运动量信息实时发送至上位机监控平台,由合分闸指令以及动铁芯运动量信息向合分闸电容输出放电指令;
上位机监控平台经通信端口与第一、第二微处理器双向通信:接受第一微处理器的请求后反馈允许信号至第一微处理器,向第二微处理器发送合分闸指令;
合闸电容自放电模块:与接入的合闸电容形成控制回路,在系统异常时释放合闸电容储存的电能;
分闸电容自放电模块:与接入的分闸线圈形成控制回路,分闸电容储存的电能在系统异常时通过分闸线圈释放;
滤波电容自放电模块:与接入的滤波电容形成控制回路,在系统异常时释放滤波电容储存的电能;
电源模块:其输入端接交流电,为合闸电容自放电模块、分闸电容自放电模块、滤波电容自放电模块、下位机、上位机监控平台供电。
2.根据权利要求1所述的永磁真空断路器的监控系统,其特征在于,所述分闸电容自放电模块包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一光耦(O1)、第一二极管(D1)、第一三极管(Q1),第一单刀双掷继电器(U1),其中:
第一光耦(O1):其阴极经过第一电阻(R1)接地,其阳极接+3.3V直流电源,其发射极经过第二电阻(R2)接第一三极管(Q1)基极,其集电极、第一二极管(D1)阴极、第三电阻(R3)一端均与+5V直流电源连接;
第一单刀双掷继电器(U1):其控制线圈一端接+5V直流电源,其控制线圈另一端与第一二极管(D1)阳极、第三电阻(R3)另一端、第一三极管(Q1)集电极连接,其单刀固定端接分闸线圈的电流输出端,其单刀的一个活动端接地,其单刀的另一个活动端悬空;
第一三极管(Q1)的发射极接地。
3.根据权利要求1或2所述的永磁真空断路器的监控系统,其特征在于,所述滤波电容自放电电路与合闸电容自放电电路结构相同,均包括:第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第二光耦(O2)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第二三极管(Q2)、第二单刀双掷继电器(U2),其中:
第二光耦(O2):其阴极经过第四电阻(R4)接地,其阳极接+3.3V直流电源,其发射极经过第五电阻(R5)接第二三极管(Q2)基极,其集电极、第二二极管(D2)阴极、第六电阻(R6)一端均与+5V直流电源连接;
第二单刀双掷继电器(U2):其控制线圈一端接+5V直流电源,其控制线圈另一端与第二二极管(D2)阳极、第六电阻(R6)另一端、第二三极管(Q2)集电极连接,其单刀固定端接地,其单刀的一个活动端与第七电阻(R7)一端连接,其单刀的另一个活动端悬空;
第七电阻(R7):其另一端与第三二极管(D3)阴极连接作为滤波电容正极的接入点;
第八电阻(R8):其一端作为合闸电容正极的接入点,其另一端接第三二极管(D3)阳极;
第二三极管(Q2)的发射极接地。
4.根据权利要求1所述的永磁真空断路器的监控系统,其特征在于,所述监控系统还包括:与上位机监控平台双向信息交互的触摸屏,触摸屏由电源模块输出的电能供电。
5.根据权利要求1所述的永磁真空断路器的监控系统,其特征在于,所述第一和/或第二微处理器的核心器件为STM32F103RBT6芯片,所述上位机监控平台的核心器件为S3C2440芯片。
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