[发明专利]非对称纳米沟槽结构双色表面等离激元分束器及分束方法有效
申请号: | 201510157697.8 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN104733997B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 廖慧敏;李智;姚文杰;刘尚;孙成伟;陈建军;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01S4/00 | 分类号: | H01S4/00;G02B6/122;B82Y20/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对称 纳米 沟槽 结构 表面 离激元分束器 方法 | ||
1.一种双色表面等离激元分束器,其特征在于,所述双色表面等离激元分束器包括:金属薄膜;在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽;在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽,附加纳米沟槽的宽度小于主纳米沟槽的宽度,形成非对称纳米沟槽结构;以电场方向垂直于纳米沟槽的线偏振紧聚焦高斯光作为入射光,从正面正入射到非对称纳米沟槽结构;在第一个工作波长下,在金属表面激发的表面等离激元SPPs有三种不同的来源:正入射的紧聚焦高斯光在主纳米沟槽的槽口直接激发的SPPs、主纳米沟槽中的一阶波导模式在主纳米沟槽的槽口激发的SPPs和主纳米沟槽中的二阶波导模式在主纳米沟槽的槽口激发的SPPs;通过同时调整主纳米沟槽的深度以及附加纳米沟槽的深度,使得正入射的紧聚焦高斯光和主纳米沟槽中的一阶波导模式在一侧所激发的SPPs的总和与二阶波导模式在同侧激发的SPPs的幅度相等、相位相反,二者互相抵消,形成完美消光;与此同时,正入射的紧聚焦高斯光和主纳米沟槽中的一阶波导模式在另一侧所激发的SPPs的总和与二阶波导模式在另一侧激发的SPPs刚好幅度相等、相位相同,二者相干相长,从而获得第一个工作波长下的SPPs的单向激发;在第二个工作波长下,主纳米沟槽中出现三阶波导模式,三阶波导模式在主纳米沟槽的槽口所激发的额外SPPs使金属表面的总的SPPs发射方向发生反转,从而实现第二个工作波长下的向另外一个方向上的SPPs的单向激发。
2.如权利要求1所述的双色表面等离激元分束器,其特征在于,所述金属薄膜的厚度≥400nm;材料采用金或银的贵金属。
3.如权利要求1所述的双色表面等离激元分束器,其特征在于,所述第一个工作波长大于三阶波导模式的截止波长;所述第二个工作波长小于等于三阶波导模式的截止波长。
4.如权利要求1所述的双色表面等离激元分束器,其特征在于,第一个工作波长为λ1,主纳米沟槽的宽度w1满足0.4λ1≤w1≤0.9λ1。
5.如权利要求1所述的双色表面等离激元分束器,其特征在于,第一个工作波长为λ1,附加纳米沟槽的宽度w2满足0.05λ1≤w2≤0.3λ1。
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