[发明专利]基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构

权利要求书

1.一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，包括硅衬底（1）、底面RDL导体（2）、通过底面RDL导体（2）连接的待测TSV结构、凸起（4）和测试引脚（6），待测TSV结构由对称分布在两侧的两组待测硅通孔柱构成，待测TSV结构包括信号待测TSV结构（3）和地待测TSV结构（12），其特征在于：

对于二端口及多端口互联结构，同一侧的信号待测TSV结构（3）和地待测TSV结构（12）中心连线的垂直平分线上布置有隔离TSV结构，隔离TSV结构用于隔离垂直的待测TSV结构与水平的底面RDL导体（2）之间的电磁耦合，隔离TSV结构主要由间隔布置的金属硅通孔柱构成，所有金属硅通孔柱两侧对称；隔离TSV结构为内侧隔离TSV结构（5）或者内侧隔离TSV结构（5）与外侧隔离TSV结构（10）两者的结合，内侧隔离TSV结构（5）位于互联内侧，外侧隔离TSV结构（10）位于互联外侧。

2.根据权利要求1所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：所述的硅衬底（1）上顶面设有顶部衬底绝缘层（8），硅衬底（1）下底面与底面RDL导体（2）之间设有底部衬底绝缘层（9），隔离TSV结构的金属硅通孔柱贯通硅衬底（1），不进入硅衬底（1）上、下的顶部衬底绝缘层（8）和底部衬底绝缘层（9）中。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：所述的信号待测TSV结构（3）和地待测TSV结构（12）中心连线中点与离待测TSV结构最近的金属硅通孔柱中心之间的距离大于待测TSV结构的单个待测硅通孔柱与隔离TSV结构的单个金属硅通孔柱的半径之和。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：相邻的所述金属硅通孔柱之间的间隙大于等于金属硅通孔柱的直径。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：所述的隔离TSV结构的金属硅通孔柱与硅衬底（1）之间设有氧化绝缘层（7）。

6.根据权利要求1或2所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：所述的隔离TSV结构的金属硅通孔柱采用功函数与硅接近的金属，隔离TSV结构与硅衬底（1）之间形成欧姆接触层（11）。

7.根据权利要求6所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：所述的功函数与硅接近的金属为金或者铂，金属硅通孔柱与硅衬底（1）之间形成欧姆接触层（11）。

8.根据权利要求1或2所述的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，其特征在于：在所述隔离TSV结构的周围对硅衬底（1）进行重掺杂，金属硅通孔柱与硅衬底（1）之间形成欧姆接触层（11）。