[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，其特征在于，形成所述有源层包括：分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子；

其中，形成所述有源层的步骤具体包括：

形成第一非晶硅层；

通过第一次激光退火工艺将所述第一非晶硅层转变为所述第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层的上表面形成第二非晶硅层，并在形成所述第二非晶硅层的过程中加入掺杂离子；

对所述第二非晶硅层进行第二次激光退火工艺，使所述第一多晶硅层的上表层熔融，所述第二非晶硅层在所述第一多晶硅层的表面生长，形成第二多晶硅层并使得所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第一非晶硅层之前，还包括形成缓冲层的步骤。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第一非晶硅层与第一次激光退火工艺之间还包括第一次脱氢工艺；在形成所述第二非晶硅层与第二次激光退火工艺之间还包括第二次脱氢工艺。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一多晶硅层的上表面形成第二非晶硅层之前，还包括对所述第一多晶硅层进行表面处理；

对所述第一多晶硅层进行表面处理为采用氢氟酸-臭氧水-氢氟酸-氢气水表面处理方式。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述第二非晶硅层进行第二次激光退火工艺的过程中，激光能量控制为使得所述第一多晶硅层的上表层熔融的厚度不超过10nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度范围为30-50nm；所述第二非晶硅层的厚度范围为2-10nm。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述的制备方法得到的薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极以及有源层，其特征在于，所述有源层包括多晶硅层以及设置在所述多晶硅层的上表层的掺杂离子。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅层的厚度范围为32-60nm，设置有掺杂离子的所述多晶硅层的厚度范围为12-20nm。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求7-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。