[发明专利]双界面调控的n型单晶硅的处理方法

权利要求书

1.一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括如下步骤：

S1.提供n型硅片，在n型硅片的背面制作Al掺杂的p⁺发射极，对背面制作有Al掺杂的p⁺发射极的n型硅片进行预退火处理，之后再对其进行二次退火处理；

S2.在n型硅片的正面进行制绒，并对制绒面进行清洗；

S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al₂O₃薄膜层；

S4.在形成的Al₂O₃薄膜层进行贵金属修饰。

2.根据权利要求1所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述步骤S1中，通过丝网印刷的方法在所述n型硅片的背面制作Al掺杂的p⁺发射极。

3.根据权利要求1所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述步骤S1中，预退火的温度为150℃，时间为5min；二次退火的温度为900℃，时间为10s～1min。

4.根据权利要求1所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过原子层沉积法在制绒面上沉积形成Al₂O₃薄膜层。

5.根据权利要求4所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述原子层沉积法沉积Al₂O₃薄膜层中，使用的前驱体为三甲基铝。

6.根据权利要求4所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述原子层沉积法沉积Al₂O₃薄膜层中，沉积时的温度控制在200℃，沉积形成的Al₂O₃薄膜层的厚度为2±0.1nm。

7.根据权利要求1所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过电沉积的方式进行贵金属修饰。

8.根据权利要求7所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，电沉积的方式进行贵金属修饰中，沉积时的电压为-0.2±0.1V，沉积时间为160s。

9.根据权利要求1或7所述的双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述贵金属为铂金。