[发明专利]显示面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510159345.6 申请日: 2015-04-07
公开(公告)号: CN104730759A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 陈耀铭;沈柏元;陈家芳 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明关于一种显示面板及其制作方法,尤指一种具有高开口率及低色偏的显示面板及其制作方法。

背景技术

显示面板例如液晶显示面板通常是由阵列基板(Array substrate)与彩色滤光基板(Color Filter substrate,CF substrate)对组而成,其中阵列基板上设置有薄膜晶体管元件与周边电路,而彩色滤光基板上则设置有彩色滤光层例如红色滤光层、绿色滤光层与蓝色滤光层。由于阵列基板与彩色滤光基板在对组过程中存在偏差,因此需要增加黑色矩阵(BM)的宽度,以避免对组偏差所造成的漏光,然而黑色矩阵的宽度增加会使得显示面板的透光区的面积减少,因此影响了显示面板的开口率。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种显示面板及其制作方法,以提升显示面板的开口率并减少色偏。

本发明的一实施例提供一种显示面板,包括一第一基板、多个薄膜晶体管元件、一第一彩色滤光层、一第二彩色滤光层以及多个辅助彩色滤光图案。第一基板具有一第一次像素区与一第二次像素区。薄膜晶体管元件设置于第一基板的一表面上并分别位于第一次像素区与第二次像素区内。第一彩色滤光层设置于第一基板的表面上并位于第一次像素区内,其中第一彩色滤光层具有一第一开口,至少部分对应位于第一次像素区内的薄膜晶体管元件。第二彩色滤光层设置于第一基板的表面上并位于第二次像素区内,其中第二彩色滤光层具有一第二开口,至少部分对应位于第二次像素区内的薄膜晶体管元件,且第一彩色滤光层与第二彩色滤光层具有不同的光穿透波长频谱。辅助彩色滤光图案分别设置于第一开口与第二开口内,且第一开口与第二开口内的辅助彩色滤光图案具有相同的光穿透波长频谱。

本发明的另一实施例提供一种制作显示面板的方法,包括下列步骤:提供一第一基板;形成多个薄膜晶体管元件于第一基板上,其中薄膜晶体管元件分别位于第一基板的第一次像素区与第二次像素区内。形成一第一彩色滤光层于第一基板上以及第一次像素区内,其中第一彩色滤光层具有一第一开口,至少部分对应位于第一次像素区内的薄膜晶体管元件。形成一第二彩色滤光层于第一基板上以及第二次像素区内,其中第二彩色滤光层具有一第二开口,至少部分对应位于第二次像素区内的薄膜晶体管元件,且第一彩色滤光层与第二彩色滤光层具有不同的光穿透波长频谱。形成多个辅助彩色滤光图案于第一开口内与第二开口内,其中第一开口与第二开口内的辅助彩色滤光图案具有相同的光穿透波长频谱。

本发明的显示面板的彩色滤光层设置在阵列基板上,因此可有效提升开口率。此外,用以显示不同颜色的次像素区内的薄膜晶体管元件的上方都覆盖了具有相同颜色的辅助彩色滤光图案,因此所有薄膜晶体管元件的漏电流会是一致的,故薄膜晶体管元件会具有一致的元件特性而不会产生色偏。

附图说明

图1绘示本发明的对照实施例的显示面板的示意图。

图2为半导体通道层的光吸收系数与波长的关系图以及背光的频谱图。

图3绘示本发明的第一较佳实施例的显示面板的示意图。

图4绘示本发明的第一较佳实施例的变化实施例的显示面板的示意图。

图5绘示本发明的第二较佳实施例的显示面板的示意图。

图6绘示本发明的第二较佳实施例的变化实施例的显示面板的示意图。

图7绘示本发明的第三较佳实施例的显示面板的示意图。

图8为本发明的一实施例的制作显示面板的方法流程图。

主要元件符号说明:

1    显示面板                      10    第一基板

T    薄膜晶体管元件                21    第一彩色滤光层

22   第二彩色滤光层                23    第三彩色滤光层

PE   像素电极                      30    第二基板

32   光电介质层                    BM    黑色矩阵

CE   共通电极                      101   第一次像素区

102  第二次像素区                  103   第三次像素区

10A  表面                          G     栅极

GI   栅极绝缘层                    SE    半导体通道层

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