[发明专利]双门闸阀装置及具双门闸阀装置的镀膜设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种闸阀装置，特别是涉及一种双门闸阀装置及具双门闸阀装置的镀膜设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是一种在高真空度的沉积环境中，利用物理变化在一个工件上沉积薄膜的技术。其中，为了让该工件得以由常压进出该沉积环境，镀膜设备必须借由一个闸阀装置进行渐进式真空隔绝，并利用该闸阀装置使该沉积环境恢复高度气密的状态，而能持续进行真空镀膜制程。然而，该闸阀装置容易因长时间受到溢镀而累积厚膜，从而降低隔绝效果，造成该沉积环境真空度劣化，进而影响到镀膜质量。

此外，有如图1所公开的一种镀膜设备，包含一个用于进行沉积镀膜的制程腔91、一个卸除腔92、一个介于该制程腔91与该卸除腔92之间的缓冲腔93，及多个设置于所述腔体之间的闸阀94。借由该缓冲腔93的设置，虽然可以避免邻近该卸除腔92的闸阀94受到溢镀，以维持对该制程腔91的气密隔绝，但是所述腔体需要个别地连接一个负压源(图未示)以建构渐进式负压环境，因而增加了该镀膜设备的建置成本及占地面积。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双重隔离以维持气密效果的双门闸阀装置。

本发明的双门闸阀装置，包含一个基座、两个闸门单元，及一个输送单元。

该基座包括一个环腔壁、一个位于该环腔壁一端且具有一个入阀口的入口端壁、一个位于该环腔壁另一端且具有一个出阀口的出口端壁、一个介于该入口端壁与该出口端壁之间且具有一个间阀口的间隔壁，及一个抽气孔。该环腔壁、该入口端壁与该间隔壁之间共同界定出一个缓冲腔。该环腔壁、该间隔壁与该出口端壁之间共同界定出一个衔接腔。该入口端壁与该出口端壁的距离不大于500mm。该缓冲腔与该抽气孔相通。

所述闸门单元分别对应设置于该缓冲腔内与该衔接腔内，且分别用于启闭该入阀口与该间阀口。

该输送单元包括一支能枢转地设置于该缓冲腔内的输送滚轴。

较佳地，每一个闸门单元包括一支能枢转地安装于该基座的转动轴、一扇与该转动轴连动地结合的闸板，及一个安装于该基座并连结于该转动轴的驱动器。该驱动器能驱动该转动轴在一个封闭位置及一个开启位置之间转动。当设置于该缓冲腔的闸门单元的转动轴在该封闭位置时，该闸门单元的闸板封闭该入阀口。当该转动轴在该开启位置时，该闸板开启该入阀口。当设置于该衔接腔的闸门单元的转动轴在该封闭位置时，该闸门单元的闸板封闭该间阀口。当该转动轴在该开启位置时，该闸板开启该间阀口。

较佳地，该环腔壁具有一个壁本体、一片缓冲腔封板，及一片衔接腔封板。该壁本体包括一个连通该缓冲腔并受该缓冲腔封板封闭的缓冲腔维修口，及一个连通该衔接腔并受该衔接腔封板封闭的衔接腔维修口。

较佳地，每一个闸门单元的驱动器为一个压缸及一支连杆的组合。该压缸的一个缸体枢接于该基座。该连杆枢接于该转动轴与该压缸的一支活塞杆之间。

较佳地，该输送单元还包括一个用于带动该输送滚轴产生转动的马达。

本发明的另一个目的在于提供一种能精简设备而降低建置成本的具双门闸阀装置的镀膜设备。

本发明的具双门闸阀装置的镀膜设备，包含一个腔体单元、一个双门闸阀装置，及一组真空管路。

该腔体单元包括一个制程腔、一个与该制程腔间隔设置的卸除腔、一个使该制程腔保持负压的第一负压源，及一个使该卸除腔保持负压的第二负压源。

该双门闸阀装置包括一个基座、两个闸门单元，及一个输送单元。该基座具有一个环腔壁、一个位于该环腔壁一端且包括一个入阀口的入口端壁、一个位于该环腔壁另一端且包括一个出阀口的出口端壁、一个介于该入口端壁与该出口端壁之间且包括一个间阀口的间隔壁，及一个抽气孔。该环腔壁、该入口端壁与该间隔壁之间共同界定出一个缓冲腔。该环腔壁、该间隔壁与该出口端壁之间共同界定出一个衔接腔。该入口端壁与该出口端壁的距离不大于500mm。该入口端壁气密地连接于该制程腔。该出口端壁气密地连接于该卸除腔。该缓冲腔与该抽气孔相通。所述闸门单元分别对应设置于该缓冲腔内与该衔接腔内，且分别用于启闭该入阀口与该间阀口。该输送单元具有一支能枢转地设置于该缓冲腔内的输送滚轴。

该真空管路一端连接于该抽气孔，另一端连接于该第二负压源。