[发明专利]一种孔金属化的方法

权利要求书

1.一种孔金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将基材的预设孔金属化形成金属镀层；

B)在预设孔的金属镀层上进行电镀得到电镀层；

C)对所述预设孔进行钻孔处理，使最终需要金属化的孔壁不含电镀层及金属镀层；

D)在需要金属化的孔壁上覆盖导电高分子膜；

E)对步骤D)得到的孔进行微蚀处理、活化剂钝化处理后，进行电镀，在导电高分子膜上形成金属镀层；所述活化剂为步骤A)中金属化所用的活化剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设孔为通孔，所述钻孔处理为去除预设孔两头的电镀层及金属镀层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设孔为两头相对的盲孔，所述钻孔处理为使两头相对的盲孔成为通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中金属镀层的厚度为0.001～3μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中电镀层的厚度为1～500μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钻孔处理的方法为激光烧蚀处理或控深钻孔处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电高分子膜为聚噻吩类导电高分子膜、聚吡咯类导电高分子膜、聚对苯类导电高分子膜或聚苯胺类导电高分子膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤E)中微蚀处理采用的微蚀液为过硫酸铵-硫酸体系、过硫酸钠-硫酸体系或双氧水-硫酸体系。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤E)中活化剂钝化处理采用的钝化剂为包含硫元素的化合物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述E)中活化剂钝化处理采用的钝化剂为硫脲、硫化钠与硫氢化钠中的一种或多种。