[发明专利]气体传送系统的整体式陶瓷组件及其制造和使用方法

权利要求书

1.一种制作半导体衬底处理装置的气体传送系统的整体式陶瓷组件的方法，所述气体传送系统被配置成供应处理气体到布置在其下游的气体分配件，所述气体分配件被配置成供应所述处理气体到所述装置的真空腔的处理区域，其中，所述处理区域布置在待处理的半导体衬底的上表面之上，制作所述整体式陶瓷组件的所述方法包括：

准备陶瓷材料生坯；

使所述陶瓷材料生坯成形为所述气体传送系统的理想的整体式陶瓷组件的形状；以及

烧制已成形的所述陶瓷材料生坯以形成所述气体传送系统的所述整体式陶瓷组件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，已成形的所述陶瓷材料生坯的烧制是通过烧结已成形的所述生坯来实现的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，一个或者多个竖直的、对角的和/或水平的管道形成在已成形的所述生坯中，并且一个或者多个进口端口和一个或者多个出口端口形成在已成形的所述生坯中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

(a)所述陶瓷材料生坯通过层叠所述陶瓷材料生坯的单层而形成为所述气体传送系统的理想的整体式陶瓷组件的形状，所述单层被各自图案化以与理想的整体式陶瓷组件的层对应；或者

(b)所述陶瓷材料生坯围绕预成型体形成，其中所述预成型体被形成为与理想的整体式陶瓷组件的内腔结构对应的形状，所述方法进一步包括：通过加热以因此促进从已成形的所述陶瓷材料生坯移除所述预成型体，从而使所述预成型体从已成形的所述陶瓷材料生坯的内部移除。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述陶瓷材料生坯由包括至少一种陶瓷材料粉末和粘合剂的浆料制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述陶瓷材料选自由氧化物、氮化物、硼化物、氟化物和碳化物构成的组；或者选自由硅、碳化硅(SiC)、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化铝、氧化钛、矾土、氧化锆、氧化铍和氧化铈构成的组。

7.一种制作半导体衬底处理装置的气体传送系统的整体式陶瓷组件的方法，所述气体传送系统被配置成供应处理气体到布置在其下游的气体分配件，所述气体分配件被配置成供应所述处理气体到所述装置的真空腔的处理区域，其中，所述处理区域布置在待处理的半导体衬底的上表面之上，制作所述整体式陶瓷组件的所述方法包括：

准备多个陶瓷材料生坯层；

逐层层叠所述陶瓷材料生坯以形成与所述气体传送系统的理想的整体式陶瓷组件的形状对应的陶瓷材料生坯，其中，所述陶瓷材料生坯的每个层被图案化，以使一个或者多个竖直的、对角的和/或水平的管道形成在已成形的所述陶瓷材料生坯中，以用于供应通过其中的处理气体，并且一个或者多个进口端口和一个或者多个出口端口形成在已成形的所述陶瓷材料生坯中；以及

烧制所述陶瓷材料生坯以形成所述气体传送系统的所述整体式陶瓷组件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，已成形的所述陶瓷材料生坯的烧制是通过在层叠每个层时烧结已成形的所述陶瓷材料生坯来实现的。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述陶瓷材料生坯由包括至少一种陶瓷材料粉末和粘合剂的浆料制成。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述陶瓷材料是选自由氧化物、氮化物、硼化物、氟化物和碳化物构成的组；或者选自由硅、碳化硅(SiC)、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化铝、氧化钛、矾土、氧化锆、氧化铍和氧化铈构成的组。

11.一种非临时性计算机可读介质，其包括用于执行权利要求7所述方法的程序指令。

12.一种气体传送系统的整体式陶瓷组件，其通过权利要求1所述的方法形成。

13.根据权利要求12所述的整体式陶瓷组件，其中，所述组件为所述气体传送系统的歧管、气体托盘或者适配器组块。

14.一种气体传送系统，其包括权利要求12所述的整体式陶瓷组件。

15.一种气体传送系统的整体式陶瓷组件，其通过权利要求7所述的方法形成。

16.根据权利要求15所述的整体式陶瓷组件，其中，所述组件为所述气体传送系统的歧管、气体托盘或者适配器模块。

17.一种气体传送系统，包括权利要求15所述的整体式陶瓷组件。