[发明专利]一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法

权利要求书

1.一种自组装形成的CdTe量子点/SiO₂/TGA复合三维纳米材料，其特征在于：由CdTe量子点、SiO₂和TGA组成，TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面，TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO₂层，TGA位于CdTe量子点和SiO₂层之间；所述的复合三维纳米材料形状为稻草捆状，长度为200～300μm，中心处直径为50～120μm；所述的CdTe量子点的直径为2～10nm；所述的CdTe量子点与SiO₂、TGA的摩尔比为(5~8) : (1~4) : 11。

2.一种权利要求1所述CdTe量子点/SiO₂/TGA复合三维纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

    1）水溶性CdTe量子点表面包覆SiO₂层：将硅烷试剂和氨水加入到量子点浓度为10^-4～10^-5M的TGA修饰的CdTe量子点水溶液中，搅拌1～10h，得透明溶液；

    2）自组装形成复合三维纳米材料：向步骤1）制备的溶液中，加入0.5～0.6倍体积的浓度为1M的PBS缓冲液，混匀，密封，室温下静置2～12个月，离心分离出自组装后的纳米复合材料，水洗，再分散到水中，其中量子点的分散浓度为10^-4～10^-5M，得到自组装形成的CdTe量子点/SiO₂/TGA复合三维纳米材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的硅烷试剂与氨水、TGA修饰的CdTe量子点水溶液体积比为（1～4）：100：2000。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的氨水质量浓度为 25%。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的硅烷试剂为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯或正硅酸丁酯；

根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中所述的PBS缓冲液pH为7.4。