[发明专利]一种硅太阳能电池制结工艺有效
申请号: | 201510162481.0 | 申请日: | 2015-04-08 |
公开(公告)号: | CN106159034B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 李国红 | 申请(专利权)人: | 安徽康力节能电器科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/228 |
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地址: | 237000 安徽省六安经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池领域,尤其涉及一种硅制结工艺。
背景技术
太阳能是一种安全,绿色可重复利用的再生能源,太阳能电池的光伏效应是一种利用太阳能的有效途径。硅太阳能电池是当今主流的太阳能电池类型,占据着绝大部分市场份额,硅太阳能电池的制备工艺代表着一个国家太阳能电池的制造水平,如今硅太阳能电池已经在很多领域有着广泛的运用。低成本、高光电转换效率一直是硅太阳能电池制备工艺的发展方向。作为硅太阳能电池的重要工艺,制结工艺对太阳能电池的性能起着决定性作用。采用掺杂工艺形成P掺杂区和N掺杂区,光生电子在PN结的作用下被有效分离。如今,主流的制结工艺包括扩散、离子注入、外延等。
扩散制结作为主流的制结工艺,被采用的最多,其具有制造成本低,生产效率高的特点。一般步骤包括:进舟-通磷源气体-高温扩散-降温出舟。然而,现有的扩散制结工艺也存在一些不足,例如制结之后的电阻不均匀,表面存在死层,短波响应不理想等。
发明内容
本发明针对上述技术问题的不足,发明提供一种硅太阳能电池制结工艺。该工艺包括步骤:
提供硅片,将硅片置于石英舟内,将石英舟固定安置于扩散炉内,封闭扩散炉的炉门;
向扩散炉内通入氮气,氮气流量为20ml/min,通入10min后开始升温,将炉内温度升温至1000-1050摄氏度;
当温度升至上述1000-1050摄氏度时,向炉内通入携三氯氧磷气体和氧气,进行扩散工艺,其中携三氯氧磷气体的流量为15L/min,氧气流量为3L/min;在上述1000-1050摄氏度扩散5分钟后,5分钟内降温至700-720摄氏度并保持700-720摄氏度扩散5分钟,之后在5分钟内均匀升温至1000-1050摄氏度并保持1000-1050摄氏度扩散5分钟,之后在5分钟内均匀降温至800摄氏度,当温度降至所述800摄氏度时关闭携三氯氧磷气体和氧气的气阀,停止通携磷源气体和氧气结束扩散,整个扩散时间为30分钟;
在所述800摄氏度的环境中进行推进工艺。
推进工艺结束后,降温出舟,完成制结工艺。
其中,所述推进工艺的时间为15分钟。
其中,产生所述携三氯氧磷气体的三氯氧磷液体源温度为20摄氏度。
附图说明
图1 制结过程温度变化。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,胆只是本发明的一个方面,本发明不局限于以下实施例。
实施例1
提供硅片,将硅片置于石英舟内,将石英舟固定安置于扩散炉内,封闭扩散炉的炉门。
向扩散炉内通入氮气,氮气流量为20ml/min,通入10min后开始升温,将炉内温度升温至1050摄氏度。
当温度升至上述1050摄氏度时,向炉内通入携三氯氧磷气体和氧气,三氯氧磷液体源温度为20摄氏度,进行扩散工艺,其中携三氯氧磷气体的流量为15L/min,氧气流量为3L/min;在上述1050摄氏度扩散5分钟后,5分钟内降温至700摄氏度并保持700摄氏度扩散5分钟,之后在5分钟内均匀升温至1050摄氏度并保持1050摄氏度扩散5分钟,之后在5分钟内均匀降温至800摄氏度,当温度降至该800摄氏度时关闭携三氯氧磷气体和氧气的气阀,停止通携磷源气体和氧气结束扩散,整个扩散时间为30分钟。
在上述800摄氏度的环境中进行推进工艺,推进时间为15分钟。
推进工艺结束后,降温出舟,完成制结工艺。
参见图1为本发明的实施例一的扩散和推进过程中的温度变化情况。在扩散工艺中,采取了高温-降温-低温-升温-降温至推进温度的周期改变扩散温度,每个阶段均为5分钟,整个扩散时间为30分钟,不同于现有工艺中扩散温度一般在750-900摄氏度,高温部分在1000摄氏度或以上,低温部分低于750摄氏度,并且恒温升降温。该方式避免了采用常规恒温扩散的不足,使得扩散温度周期变化,能够提高吸杂作用,优化扩散后活性磷源杂质的分布。最后通过在800摄氏度左右温度的推进,使得较高活性的磷源杂质形成为温度有效的N型杂质中心。该方式能有效提高方块电阻的分布均匀性,并且生产方式简单,成本低,条件易控制。
实施例2
提供硅片,将硅片置于石英舟内,将石英舟固定安置于扩散炉内,封闭扩散炉的炉门。
向扩散炉内通入氮气,氮气流量为20ml/min,通入10min后开始升温,将炉内温度升温至1000摄氏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的