[发明专利]高温亚铁磁半导体的制备方法有效
| 申请号： | 201510163120.8 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104844162B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 龙有文;邓宏芟;殷云宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,高青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温 亚铁 半导体 cacu sub fe os 12 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备高温亚铁磁半导体的方法，其中，所述高温亚铁磁半导体的化学式为CaCu3Fe2Os2O12，所述制备方法包括：
将CaO、Fe2O3、CuO、Os、氧源均匀混合，得到混合物；
研磨；
将混合物填充在金或铂金胶囊中密封；
将金或铂金胶囊置于高压装置中高温高压处理，其中，所述高温高压处理的压力为6-10GPa，温度大于1000℃；
退火或淬火处理；
先降温后卸压；
将反应产物从金或铂金胶囊中取出，充分研磨；
清洗。
2.根据权利要求1所述的制备高温亚铁磁半导体的方法，其中，所述清洗为使用非强氧化性酸清洗。
3.根据权利要求2所述的制备高温亚铁磁半导体的方法，其中，所述非强氧化性酸为稀盐酸。
4.根据权利要求1所述的制备高温亚铁磁半导体的方法，其中，所述氧源为选自KClO3、KClO4、NaClO3、NaClO4、Na2O2、Ag2O2粉末中的一种。
5.根据权利要求1所述的制备高温亚铁磁半导体的方法，其中，所述高压装置为六面顶压机或6-8型二级推进压机。
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