[发明专利]具有接触插塞的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一部分和邻近所述第一部分的第二部分；

外延层，设置在所述第一部分中；

第一蚀刻停止层，设置在所述第二部分上；

层间介电(ILD)层，设置在所述第一蚀刻停止层上；

第二蚀刻停止层，设置在所述层间介电层上，其中，所述第一蚀刻停止层、所述层间介电层和所述第二蚀刻停止层形成围绕所述第一部分的侧壁；

保护层，设置在所述侧壁上，其中，所述保护层由氧化物或氮化物形成；

衬垫，设置在所述保护层上；

硅化物帽，设置在所述外延层上；以及

接触插塞，设置在所述硅化物帽上并且被所述衬垫围绕。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延层由硅或硅锗形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延层是源极/漏极区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述衬底的所述第二部分上的金属栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护层由氧化硅或氮化硅形成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫由氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅化物帽由硅化钛、硅化镍、硅化钴、硅化铂、硅化钯、硅化钨、硅化钽或硅化铒形成。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触插塞由铝(Al)、钨(W)或铜(Cu)形成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第二蚀刻停止层上的金属间介电层。

10.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一部分和邻近所述第一部分的第二部分的衬底；

在所述第一部分中形成外延层；

在所述第二部分和所述外延层上形成第一蚀刻停止层；

在所述第一蚀刻停止层上形成层间介电(ILD)层；

在所述层间介电层上形成第二蚀刻停止层；

蚀刻所述第一蚀刻停止层的部分、所述层间介电层的部分和所述第二蚀刻停止层的部分以在所述第一部分上形成开口，其中，所述第一蚀刻停止层的剩余部分、所述层间介电层的剩余部分和所述第二蚀刻停止层的剩余部分形成所述开口的侧壁；

在所述侧壁和所述外延层上沉积保护层，其中，所述保护层由氧化物或氮化物形成；

在所述保护层上形成衬垫；

实施溅射蚀刻操作以去除在所述外延层上的所述保护层的部分和所述衬垫的部分；

使用SPM(硫酸-过氧化氢混合物)溶液清洗所述开口，其中，所述SPM溶液包括H₂SO₄和H₂O₂；

在所述外延层上形成硅化物帽；以及

用接触插塞填充所述开口。

11.根据权利要求10所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在所述层间介电层上形成所述第二蚀刻停止层的操作之后，所述方法还包括在所述第二蚀刻停止层上形成金属间介电层。

12.根据权利要求10所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在所述侧壁和所述外延层上沉积所述保护层的操作还包括使用化学汽相沉积(CVD)工艺、物理汽相沉积(PVD)工艺或高密度等离子体(HDP)工艺在所述侧壁和所述外延层上沉积所述保护层。

13.根据权利要求10所述的用于形成半导体器件的方法，其中，实施所述溅射蚀刻操作以去除所述外延层上的所述保护层的部分和所述衬垫的部分的操作还包括通过使用惰性气体实施所述溅射蚀刻操作。