[发明专利]一种多晶硅还原炉用高抗热震性氧化铝陶瓷环及制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉用高抗热震性氧化铝陶瓷环的制备方法，包括如下步骤：

（1）按下述重量百分比称取各原料以及粘结剂、分散剂、消泡剂，在高速搅拌磨中研磨2~4小时，分散介质为去离子水，研磨介质为高纯氧化铝陶瓷球或氧化锆瓷球，得到混合均匀的浆料；所述各原料重量百分比为：α-氧化铝微粉67.7~84.6%，板状刚玉5~10%，电熔莫来石粉8~15%，氧化镁0.1~0.5%，高岭土1~3%，碳酸钙0.3~0.8%，氧化锆1~3%；所述的α-氧化铝微粉、氧化镁、碳酸钙粒度为4~5微米，氧化锆粒度为1~2微米，板状刚玉和电熔莫来石粉粒度为200目；

（2）将浆料经喷雾干燥造粒，得到造粒料；

（3）将造粒料经干压成型或冷等静压成型，得到毛坯体；

（4）将得到的毛坯体通过车床加工成设计的形状和尺寸；

（5）将加工好的毛坯体表面进行修饰加工，去除毛刺和车加工纹路，再置于高温窑炉内进行烧结；

（6）对烧制好的产品进行表面精细机械加工，即得陶瓷环产品。

2.根据权利要求1所述多晶硅还原炉用高抗热震性氧化铝陶瓷环的制备方法，其特征在于：步骤（3）中冷等静压的压力为60~100MPa，烧结温度为1680~1710℃，保温时间为2~4小时。

3.一种多晶硅还原炉用高抗热震性氧化铝陶瓷环，采用如权利要求2所述方法制造，用于多晶硅还原炉中，主要性能指标优于普通95氧化铝陶瓷环，使用炉次达到20~50不开裂、不击穿。