[发明专利]半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体主体中的第一导电类型的漂移区；

配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元；和

第一导电类型的第一区以及与第一导电类型互补的第二导电类型的第二区和第三区，分别在漂移区和背面电极之间，其中第三区相比于第二区更宽且具有较低的平均发射极效率，并且其中第一、第二和第三区直接邻接背面电极

其中，相邻的第一区被第二区之一分离。

2.权利要求1的半导体器件，其中

第三区的最小宽度是相邻的第一区之间的最小距离的至少两倍那样大。

3.权利要求1的半导体器件，进一步包括：

漂移区和包括第一、第二和第三区的发射极层之间的场停止层，其中场停止层中的最大净杂质浓度是漂移区中的至少五倍那样高。

4.权利要求1的半导体器件，其中第三区包括至少一个第一区段，且第二区中的净杂质剂量是第一区段中的至少1.3倍那样高。

5.权利要求1的半导体器件，其中第三区包括至少一个第一区段，且第二区中的净杂质剂量是第一区段中的至多六倍那样高。

6.权利要求1的半导体器件，其中第三区包括至少一个第一区段，且第二区中的净杂质剂量是第一区段中的至少两倍且至多三倍那样高。

7.权利要求4的半导体器件，其中第三区包括第二区段，第二区段的净杂质剂量相比于第一区段中的净杂质剂量更接近于第二区中的净杂质剂量。

8.权利要求7的半导体器件，其中第二区段和第二区具有相等的净杂质剂量。

9.权利要求7的半导体器件，其中第二区段直接邻接第二区。

10.权利要求7的半导体器件，其中第二区段中的至少一个形成在第三区的边界段，边界段直接邻接一个或多个第一区并具有第一区的平均宽度和第二区的平均宽度之和的至多五倍的宽度。

11.权利要求7的半导体器件，其中第二区是条状的，且第二区段形成在第二区的纵向投影中。

12.权利要求7的半导体器件，其中第二区被布置在矩阵中且第二区段被布置在矩阵的规则延伸中。

13.权利要求1的半导体器件，进一步包括:

漂移区和第三区之间的第一场停止区，其中第一场停止区中的平均净杂质浓度是漂移区中的至少两倍那样高。

14.权利要求13的半导体器件，进一步包括：

一侧上的漂移区与在相对侧上的第一和第二区之间的第二场停止区，其中第一场停止区中的净杂质剂量是第二场停止区中的至少两倍那样高。

15.一种反向导电绝缘栅双极晶体管，包括：

在半导体主体中的第一导电类型的漂移区；

配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元；以及

第一导电类型的第一区以及与第一导电类型互补的第二导电类型的第二区和第三区，分别在漂移区和背面电极之间，其中第三区比第二区更宽且包括至少一个净杂质剂量是第二区的至多80%的第一区段，且其中第一、第二和第三区直接邻接背面电极。

16.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在半导体衬底的背表面上形成第一注入掩模，其中第一注入掩模在第一区域中没有开口且在第一区域之外包括开口；

注入第一导电类型的杂质穿过第一注入掩模进入半导体衬底的直接邻接背表面的基底层中，以在基底层中形成第一导电类型的第一区；

在背表面上形成第二注入掩模，其中在第一区域中第二注入掩模的开口的面积分数小于第一区域之外的；以及

注入与第一导电类型互补的第二导电类型的杂质穿过第二注入掩模进入基底层中，以形成第一区域之外的分离第一区的第二导电类型的第二区，和在第一区域内的第二导电类型的连续的第三区，第三区的平均注入剂量小于第二区。

17.权利要求16的方法，其中

第二注入掩模完全覆盖第一区域，该方法进一步包括：

在完全暴露背表面的情况下注入第二导电类型的杂质。

18.权利要求16的方法，其中

第一区域中的第二注入掩模的第一开口比第一区域之外的第二开口窄。