[发明专利]高度位置检测装置有效
申请号: | 201510165816.4 | 申请日: | 2015-04-09 |
公开(公告)号: | CN104976955B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 能丸圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高度 位置 检测 装置 | ||
本发明提供高度位置检测装置,其能够正确地检测被保持于被加工物保持构件上的半导体晶片等被加工物中的被设定的区域的高度位置。检测被保持于卡盘工作台上的被加工物的高度位置的高度位置检测装置包括:单模光纤,其传送由被加工物反射且被光纤耦合器分路的返回光;受光元件,其接收从单模光纤发出的返回光且输出与接收到的光的强度对应的信号;以及控制构件,其具有用于保存设定了波长与高度的关系的表格的存储器。控制构件求出与法布里‑珀罗可调谐滤波器扫描单一波长的光的规定的周期同步地由受光元件接收的单一波长的光的波长,且对照波长与表格中记录的波长和高度,由此求出被保持于卡盘工作台上的被加工物的高度位置。
技术领域
本发明涉及高度位置检测装置,该高度位置检测装置检测被保持于激光加工设备等加工设备所配备的卡盘工作台上的半导体晶片等被加工物的高度位置。
背景技术
在半导体器件制造工艺中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用以格子状排列的分割预定线来划分多个区域,且在该划分后的区域上形成IC、LSI等器件。另外,通过沿着分割预定线切断半导体晶片,对形成有器件的区域进行分割,来制造各个半导体器件。
作为上述的沿着半导体晶片等的分割预定线进行分割的方法,尝试了如下激光加工方法:使用对晶片具有透射性的脉冲激光光线,向要分割的区域的内部对准聚光点而照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法中,从晶片的一个面侧向内部对准聚光点对晶片照射具有透射性的例如波长为1064nm的脉冲激光光线,在晶片内部沿着分割预定线连续地形成改性层,沿着因形成该改性层而强度降低的分割预定线施加外力,由此对被加工物进行分割(例如参照专利文献1)。当这样沿着在被加工物上形成的分割预定线而在内部形成改性层的情况下,重要的是将激光光线的聚光点定位在从被加工物的上表面到规定的深度位置上。
另外,作为对晶片等板状的被加工物进行分割的方法,提出了如下方法:通过沿着在被加工物上形成的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽,由机械制动装置沿着该激光加工槽进行割断的方法(例如参照专利文献2)。在这样沿着在被加工物上形成的分割预定线形成激光加工槽的情况下,将激光光线的聚光点定位在被加工物的规定高度位置上是也很重要的。
然而,在半导体晶片等板状的被加工物上存在起伏,且在其厚度上存在偏差,因此难以实施均匀的激光加工。即,当沿着分割预定线在晶片的内部形成改性层的情况下,如果在晶片的厚度上存在偏差,则照射激光光线时因折射率的关系而无法在规定的深度位置上均匀地形成改性层。另外,在沿着在晶片上形成的分割预定线形成激光加工槽的情况下,如果在其厚度上存在偏差,则也无法形成均匀的深度的激光加工槽。
为了消除上述的问题,专利文献3中公开了能够检测被保持于卡盘工作台上的半导体晶片等被加工物的上表面高度的高度位置检测装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3408805号公报
专利文献2:日本特开2010-272697号公报
专利文献3:日本特开2011-82354号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,上述专利文献3所公开的高度位置检测装置存在如下问题:由于是从发光构件倾斜地照射的光在被加工物的上表面反射、且根据该反射光的受光位置检测高度位置的技术,所以因高度发生变化而导致照射到偏离分割预定线的位置上,从而无法检测适当的位置的上表面高度。
本发明正是鉴于上述事实而提出的,其主要的技术课题在于提供一种高度位置检测装置,该高度位置检测装置能够正确地检测被保持于被加工物保持构件上的半导体晶片等被加工物中的被设定的区域的高度位置。
用于解决问题的手段
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