[发明专利]用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法

权利要求书

1.一种用于极紫外EUV掩模的光刻系统，包括：

耦合模块，包括配置为接触所述EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件；以及

安培计，具有通过所述至少一个掩模接触元件电连接至所述EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端，其中，所述安培计包括配置为测量从所述EUV掩模传导至所述地电位的电流的传感器和配置为提供与通过所述传感器测量的电流相反的补偿电流的补偿电路。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述耦合模块包括允许辐射到达所述EUV掩模的图案形成区域的孔和围绕所述孔的框。

3.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述至少一个掩模接触元件位于所述框上并且具有围绕所述孔的环形。

4.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述至少一个掩模接触元件包括位于所述框的拐角或边缘上并且围绕所述孔的多个引脚、条形或L形结构。

5.根据权利要求4所述的光刻系统，其中，每个所述引脚、条形或L形结构均电连接至所述安培计。

6.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括配置为支撑所述EUV掩模的台。

7.根据权利要求6所述的光刻系统，其中，所述台是接地的。

8.根据权利要求7所述的光刻系统，其中，所述安培计通过所述台连接至所述地电位。

9.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括配置为照射电子束或离子束的辐射源。

10.一种光刻EUV掩模上的光刻胶层的方法，包括：

将EUV掩模放置在台上，所述EUV掩模上具有光刻胶层；

以允许至少一个掩模接触元件穿透所述光刻胶层以接触所述EUV掩模的方式，放置具有至少一个接触元件的耦合模块，其中，所述至少一个接触元件电连接至具有连接至地电位的一端的安培计；

通过辐射的直接写入图案化所述光刻胶层；以及

通过所述安培计测量从所述EUV掩模传导至所述地电位的电流，同时通过所述安培计向所述EUV掩模提供与所述电流相反的补偿电流。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，实时提供与通过所述安培计测量的所述电流对应的所述补偿电流。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述EUV掩模具有平坦的上表面，同时所述至少一个掩模接触元件接触所述EUV掩模。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述辐射包括电子束和离子束。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，与通过所述安培计测量的所述电流相比，所述补偿电流具有相同的大小和相反的方向。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，在提供所述补偿电流之后平衡所述EUV掩模上的电荷。

16.一种光刻EUV掩模上的光刻胶层的方法，包括：

在低热膨胀材料衬底上方形成反射多层结构；

在所述反射多层结构上方形成抗反射层；

在所述抗反射层上方沉积光刻胶层；

以允许至少一个掩模接触元件穿透所述光刻胶层以接触所述抗反射层的方式放置具有所述至少一个掩模接触元件的耦合模块，其中，所述至少一个掩模接触元件电连接至具有连接至地电位的一端的安培计；

通过辐射的直接写入图案化所述光刻胶层；以及

通过所述安培计测量从所述抗反射层传导至所述地电位的电流，同时通过所述安培计向所述抗反射层提供与所述电流相反的补偿电流。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，当所述至少一个掩模接触元件接触所述抗反射层时，所述抗反射层具有平坦的上表面。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述辐射包括电子束和离子束。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，从所述抗反射层传导至所述安培计的电流流过所述至少一个掩模接触元件。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，提供至所述抗反射层的所述补偿电流流过所述至少一个掩模接触元件。