[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法有效
申请号: | 201510166096.3 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN104868012B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 金保中;金玟杓;张大熙;阳惠英 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造太阳能电池模块的方法,该方法包括以下步骤:
形成彼此平行设置在半导体基板的背面上的多个第一电极和多个第二电极的电池形成操作,在半导体基板的所述背面处针对多个太阳能电池中的每一个形成有p-n结;以及
搭接操作,该搭接操作包括连接操作和串形成操作,该连接操作执行热处理以使用导电粘合剂将第一导电线连接至包括在所述多个太阳能电池中的每一个中的所述多个第一电极并且使用所述导电粘合剂将第二导电线连接至包括在所述多个太阳能电池中的每一个中的所述多个第二电极,该串形成操作执行热处理并且将包括在一个太阳能电池中的所述第一导电线和包括在与所述一个太阳能电池相邻的其它太阳能电池中的所述第二导电线连接至互连器以形成串,在所述串中所述多个太阳能电池在第一方向上串联连接,
其中,包括所述连接操作和所述串形成操作中的至少一个的所述搭接操作包括各自具有不同的最高温度的至少两个热处理,
其中,所述连接操作的所述热处理的最高温度与所述串形成操作的所述热处理的最高温度不同,
其中,所述串形成操作的所述热处理的所述最高温度高于所述连接操作的所述热处理的所述最高温度,并且
其中,在所述连接操作的所述最高温度中执行的所述热处理连同层压处理一起执行。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,多个第一连接点被设置在所述多个第一电极和所述第一导电线彼此交叉或交叠的一部分中,并且多个第二连接点被设置在所述多个第二电极和所述第二导电线彼此交叉或交叠的一部分中,并且
其中,所述连接操作包括所述多个第一连接点和所述多个第二连接点在第一最高温度的热处理以及所述多个第一连接点和所述多个第二连接点在与所述第一最高温度不同的第二最高温度的热处理。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述连接操作包括以下步骤:
临时附接处理,该临时附接处理用于在所述第一最高温度对所述多个第一连接点的至少一部分和所述多个第二连接点的至少一部分进行热处理;以及
主附接处理,该主附接处理用于在高于所述第一最高温度的所述第二最高温度对包括所述多个第一连接点和所述多个第二连接点的所述至少一部分在内的所述第一连接点和所述第二连接点中的全部进行热处理。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述临时附接处理的所述第一最高温度是70℃至150℃,并且
其中,所述主附接处理的所述第二最高温度可以是在高于所述第一最高温度的温度范围内的140℃至400℃。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述连接操作包括:
高熔点热处理,该高熔点热处理用于在所述第一最高温度对所述多个第一连接点的一部分或所述多个第二连接点的一部分进行热处理;以及
低熔点热处理,该低熔点热处理用于在低于所述第一最高温度的所述第二最高温度对所述多个第一连接点和所述多个第二连接点当中的剩余的第一连接点和第二连接点进行热处理。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述高熔点热处理的所述第一最高温度是150℃至400℃,并且
其中,所述低熔点热处理的所述第二最高温度是在低于所述第一最高温度的温度范围内的140℃至180℃。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一导电线和所述第二导电线被预先构图在绝缘构件上,并且
其中,在所述连接操作中,具有所述第一导电线和所述第二导电线的各个绝缘构件以及上面形成有所述多个第一电极和所述多个第二电极的各个半导体基板被彼此连接以形成单独的集成型元件。
8.根据权利要求7所述的方法,其中在所述连接操作中,在所述第一电极与所述第二电极之间并且在所述第一导电线与所述第二导电线之间形成绝缘层。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个被形成为在所述第一方向上延伸的多个导电线或在所述第一方向上延伸的多个导电带,并且
其中,在所述连接操作中,形成为所述导电线或所述导电带的所述第一导电线和所述第二导电线分别连接至各个太阳能电池的所述多个第一电极和所述多个第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的