[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置在审
| 申请号： | 201510166166.5 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104867877A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 肖丽;王强涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/34;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成栅线和栅极；
形成覆盖所述栅线和栅极的绝缘层；
在绝缘层上对应所述栅极的位置形成有源层；
通过一次构图工艺形成覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层为遮光材料，其中所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空，所述刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔；
在所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层，并通过一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成数据线、源极和漏极，其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极还连接所述数据线，所述漏极连接像素电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅线、所述有源层和所述数据线的投影位置。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为黑矩阵BM材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源层为非晶氧化物材料。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，位于所述衬底基板上的栅线和栅极；
覆盖所述栅线和栅极的绝缘层；
在绝缘层上对应所述栅极的位置的有源层；
所述有源层上方的刻蚀阻挡层，其中所述刻蚀阻挡层为遮光材料，所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空，所述刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔；
所述刻蚀阻挡层上的数据线、源极和漏极，其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极还连接所述数据线，所述漏极连接像素电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，包括：所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅线、所述有源层和所述数据线的投影位置。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，包括：所述刻蚀阻挡层为黑矩阵BM材料。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为非晶氧化物材料。
9.一种显示面板，包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求5-8任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板的彩膜层仅包括彩膜材料。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
