[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

沉积非晶硅层的步骤；

对所述非晶硅层进行晶化处理，形成多晶硅层的步骤；

形成有源层的步骤；

形成沟道掺杂的步骤；

碳离子注入的步骤；

形成栅极绝缘层及栅极的步骤；

形成过孔的步骤；

形成源极及漏极的步骤。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅层的步骤之后执行所述碳离子注入的步骤。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成沟道掺杂的步骤之后执行所述碳离子注入的步骤。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

在基板上沉积栅极金属层，通过构图工艺，形成栅极；

在所述栅极上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行晶化处理，形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺，形成有源层；

对所述有源层进行沟道离子注入，形成沟道掺杂；

对所述有源层进行碳离子注入；

在所述有源层上沉积沟道绝缘层，通过构图工艺，形成沟道保护层；

以沟道保护层为掩膜，对所述有源层进行离子注入，形成源区和漏区；

在所述有源层上沉积中间保护层，并在所述中间保护层上形成过孔；

在所述中间保护层上沉积金属层，通过构图工艺，形成源极及漏极。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，具体包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行晶化处理，形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行构图工艺，形成有源层；

对所述有源层进行离子注入，形成沟道掺杂；

对所述有源层进行碳离子注入；

在所述有源层上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积栅极金属层，通过构图工艺，形成栅极；

以栅极为掩膜，对所述有源层进行离子注入，形成源区和漏区；

在所述栅极上沉积钝化层，并在所述栅极绝缘层及所述钝化层形成过孔；

制作源极及漏极。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述碳离子注入的步骤，所采用的注入离子能量为3KeV～15KeV。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述碳离子注入的步骤，所注入的离子剂量为1×10¹⁵/cm²～9×10¹⁶/cm²。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，其采用如权利要求1至7任一所述的制作方法制备。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，以及设置于所述基板上的如权利要求8所述的薄膜晶体管、栅线、数据线及像素电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。