[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板与显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

晶化前驱物的沉积步骤，所述沉积步骤采用化学气相沉积工艺，且在所述化学气相沉积工艺中以含碳气体及含硅气体为反应源；

晶化步骤；

形成有源层的步骤；

形成栅极绝缘层及栅极的步骤；

形成源极及漏极的步骤。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺中，所述含碳气体与所述含硅气体的气体流量比为1/10～1。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述含硅气体为SiH₄、SiH₂Cl₂或SiH₃Cl中的至少一种，所述含碳气体为CH₄、C₂H₆、CH₃OH、C₂H₅OH或CH₃COOH中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述化学沉积工艺为等离子体增强化学气相沉积，其中，所采用的温度为250～400℃，所采用的压强为100～400Pa，所采用的射频功率为10～80mW/cm²。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，具体包括：

在基板上沉积栅极金属层，通过构图工艺，形成栅极；

在所述栅极上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积晶化前驱物，且在所述等离子体增强化学气相沉积工艺中以含碳气体及含硅气体为反应源；

对所述晶化前驱物进行激光退火工艺，形成晶化层；

对所述晶化层进行构图工艺，形成有源层；

对所述有层进行离子注入，实现沟道掺杂；

在所述有源层上沉积沟道绝缘层，通过构图工艺，形成沟道保护层；

以沟道保护层为掩膜，对所述有源层进行离子注入，形成源区和漏区；

在所述有源层沉积上中间保护层，并在所述中间保护层上形成过孔；

在所述中间保护层上沉积金属层，通过构图工艺，形成源极及漏极。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，具体包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积晶化前驱物，且在所述等离子体增强化学气相沉积工艺中以含碳气体及含硅气体为反应源；

对所述晶化前驱物进行准分子激光退火工艺，形成晶化层；

对所述晶化层进行构图工艺，形成有源层；

对所述有层进行离子注入，实现沟道掺杂；

在所述有源层上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积栅极金属层，通过构图工艺，形成栅极；

以栅极为掩膜，对所述有源层进行离子注入，形成源区和漏区；

在所述栅极上沉积钝化层，并在所述栅极绝缘层及所述钝化层形成过孔；

制作源极及漏极。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述晶化前驱物的厚度为40nm～60nm。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1至7任一所述的制作方法制造得到。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，以及设置于所述基板上的如权利要求8所述的薄膜晶体管、栅线、数据线及像素电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。