[发明专利]硅晶片的热处理方法和硅晶片有效
| 申请号： | 201510167489.6 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104979191B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/322;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 热处理 方法 | ||
1.一种硅晶片的热处理方法，具有如下工序：
第1工序，对于从通过提拉法生长的硅锭切出的硅晶片，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；
第2工序，将在所述第1工序中热处理的硅晶片在氧化气氛中以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；
第3工序，将在所述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时；以及
第4工序，将在所述第3工序中热处理的硅晶片在非氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的热处理方法，其中，在所述第1工序前的阶段，所述硅晶片中存在的空洞缺陷的平均尺寸按同体积的球状换算值计，为直径80nm以下，并且所述空洞缺陷的密度为100个/cm3以上。
3.根据权利要求1所述的硅晶片的热处理方法，其中，通过改变所述第2工序中的冷却速度或者改变所述第3工序中的保持时间来改变距硅晶片表面的无缺陷层的深度。
4.根据权利要求2所述的硅晶片的热处理方法，其中，通过改变所述第2工序中的冷却速度或者改变所述第3工序中的保持时间来改变距硅晶片表面的无缺陷层的深度。
5.一种硅晶片，其特征在于，是利用权利要求1～4中任1项所述的硅晶片的热处理方法进行了热处理的硅晶片，主体的氧析出物的面内平均密度为1.0×109个/cm3～1.0×1010个/cm3，距表面的各深度位置的所述氧析出物密度的面内偏差为1位数以内。
6.根据权利要求5所述的硅晶片，其特征在于，主体的全部所述氧析出物中，90％以上的数目的氧析出物的尺寸为35～75nm的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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